Диффузионное перераспределение ионно-имплантированных примесей. Быкадорова Г.В - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

19
2. В условиях задания 1 рассчитать и построить концентрационный
профиль и глубины залегания p-n переходов без учета эффекта
каналирования . Сравнить полученные данные с результатами задания 1.
3. Проводится активационный отжиг ионно - имплантированного
примесного слоя, полученного в кремнии p-типа с удельным
сопротивлением 2 Ом·см при внедрении ионов мышьяка при энергии
60 кэВ и дозе 10 мкКл/см
2
.
Аппроксимируя концентрационный профиль распределением
Пирсон-4, считая границу отражающей и не учитывая эффекта
каналирования , найти:
а) концентрационный профиль при температуре отжига 1000 ºС в
течение 30 минут;
б) зависимость глубины залегания p-n перехода от температуры в
диапазоне 800-1200 ºС при времени отжига в 1 час;
в) зависимость глубины залегания p-n перехода от времени отжига в
диапазоне 0,25÷2 часа при температуре 1000 ºС ;
г) зависимость координаты точки максимума концентрации от
температуры отжига в диапазоне 800÷1250 ºС при времени отжига
45 минут.
4. Разориентированная кремниевая подложка n-типа с удельной
электропроводностью 0.5 Ом·см имплантируется ионами бора с
энергией 100 кэВ и дозой 20 мкКл/см
2
с последующей диффузионной
разгонкой.
Аппроксимируя концентрационный профиль после ионной
имплантации распределением Пирсон-4, с учетом эффекта
каналирования и считая границу связывающей , найти:
а) концентрационный профиль после диффузионной разгонки при
температуре отжига 1000 ºС в течение 45 минут;
б) зависимость глубины залегания p-n переходов от температуры в
интервале от 800 до 1300 ºС при времени диффузионной разгонки
30 минут;
в) зависимость глубин залегания p-n переходов от времени
диффузионной разгонки в интервале от 20 минут до 2 часов при
температуре 1050 ºС ;
г) температурную зависимость количества бора, покинувшего
подложку в интервале от 800÷1300 ºС при времени диффузионной
разгонки 45 минут;
д) временную зависимость количества бора, покинувшего подложку , в
интервале от 20 минут до 2 часов при температуре 1050 ºС ;
е) зависимость координаты точки максимума концентрации от времени
диффузионной разгонки в диапазоне от 20 минут до 2.5 часов при
температуре 1050 ºС ;
ж ) зависимость координаты точки максимума концентрации от
температуры в диапазоне 800÷1300 ºС при времени диффузионного
отжига 30 минут; 
                                       19
2. В у словиях задания 1 рассчитать и построить концентрационны й
    проф иль и глу бины залегания p-n переходов без у чета эф ф екта
    каналирования. Сравнить полу ченны еданны ес резу ль татами задания 1.
3. Проводится        активационны й    отж иг    ионно-имплантированного
    примесного слоя, полу ченного в кремнии p-типа с у дель ны м
    сопротивлением 2 О м ·с м при внедрении ионовмы шь яка при энергии
    60 кэВ и дозе10 м кК л/с м 2.
           А ппроксимиру я концентрационны й проф иль распределением
    Пирсон-4, считая границу отраж аю щ ей и не у читы вая эф ф екта
    каналирования, найти:
    а) концентрационны й проф иль при температу ре отж ига 1000 ºС в
        течение 30 мину т;
    б) зависимость глу бины залегания p-n перехода от температу ры в
        диапазоне800-1200 ºС при времени отж игав1 час;
    в) зависимость глу бины залегания p-n перехода от времени отж ига в
        диапазоне0,25÷2 часапри температу ре1000 ºС ;
    г) зависимость координаты точки максиму ма концентрации от
        температу ры отж ига вдиапазоне 800÷1250 ºС при времени отж ига
        45 мину т.
4. Разориентированная кремниевая подлож ка n-типа с у дель ной
    электропроводность ю 0.5 О м ·с м имплантиру ется ионами бора с
    энергией 100 кэВ и дозой 20 м кК л/с м 2 с последу ю щ ей диф ф у зионной
    разгонкой.
           А ппроксимиру я концентрационны й проф иль после ионной
    имплантации распределением Пирсон-4, с у четом эф ф екта
    каналирования и считая границу связы ваю щ ей, найти:
    а) концентрационны й проф иль после диф ф у зионной разгонки при
        температу реотж ига1000 ºС втечение45 мину т;
    б) зависимость глу бины залегания p-n переходов от температу ры в
        интервале от 800 до 1300 ºС при времени диф ф у зионной разгонки
        30 мину т;
    в) зависимость глу бин залегания p-n переходов от времени
        диф ф у зионной разгонки винтервале от 20 мину т до 2 часовпри
        температу ре1050 ºС ;
    г) температу рну ю     зависимость количества бора, покину вшего
        подлож ку винтервале от 800÷1300 ºС при времени диф ф у зионной
        разгонки 45 мину т;
    д) временну ю зависимость количества бора, покину вшего подлож ку , в
        интервалеот20 мину тдо 2 часовпри температу ре1050 ºС ;
    е) зависимость координаты точки максиму маконцентрации отвремени
        диф ф у зионной разгонки вдиапазоне от 20 мину т до 2.5 часовпри
        температу ре1050 ºС ;
    ж ) зависимость координаты точки максиму ма концентрации от
        температу ры вдиапазоне 800÷1300 ºС при времени диф ф у зионного
        отж ига30 мину т;

Страницы