Диффузионное перераспределение ионно-имплантированных примесей. Быкадорова Г.В - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

20
з) время диффузионной разгонки, в течение которого половина
примеси бора покинет подложку при температуре 1050 ºС ;
и) время, в течение которого максимальная концентрация бора
уменьшится в 10 раз .
Вопросы
1. Запишите второе уравнение Фика для полубесконечной подложки с
соответствующими граничными и начальными условиями при
диффузии из ионно- имплантированного слоя, начальное распределение
которого аппроксимируется функцией Пирсон-4. Границу считать
отражающей (связывающей ).
2. Записать решение для задачи, поставленной в вопросе 1, при
легировании изотипной подложки и подложки с противоположным
типом проводимости.
3. В чем физическая причина возникновения асимметрии ионно-
имплантированных профилей ?
4. Какие распределения , аппроксимирующие асимметричные ионно-
имплантированные профили , Вы знаете?
5. Что такое коэффициент затухания ?
6. При каких условиях в процессе имплантации примесью
противоположного типа по отношению к исходной примеси в подложке
не формируются p-n переходы ?
7. Возможно ли образование двух p-n переходов при диффузионной
разгонке ионно- имплантированного слоя, если граница является
отражающей ? При каких условиях образуется один p-n переход?
3. Построение концентрационных профилей
после диффузионной разгонки ионно-имплантированной примеси
с помощью комбинированного распределения
Диффузия из ионно - имплантированных слоев служит для
активации и последующей разгонки примесей . При низких дозах
имплантации Q <100 мкКл/см
2
диффузия примесей из ионно-
имплантированного слоя идет как диффузия из ограниченного источника и
в ряде случаев распределение концентрации N(x) можно оценить с
помощью комбинированного распределения
)2(2
)(
2
2
2
2
),(
DtR
Rx
P
P
P
e
DtR
Q
txN
+∆
−
−
⋅
+∆
=
π
, (8)
где Q - доза имплантации; R
p
и ∆R
p
- нормальный пробег и страгглинг
внедряемых ионов; D - коэффициент диффузии при заданной температуре;
t - время диффузии. 
                                                   20
  з) время диф ф у зионной разгонки, в течение которого половина
     примеси борапокинетподлож ку при температу ре1050 ºС ;
  и) время, в течение которого максималь ная концентрация бора
     у мень шится в10 раз.

                                                В опросы

1. Запишите второе у равнение Ф ика для полу бесконечной подлож ки с
   соответствую щ ими граничны ми и началь ны ми у словиями при
   диф ф у зии из ионно-имплантированного слоя, началь ное распределение
   которого аппроксимиру ется ф у нкцией Пирсон-4. Границу считать
   отраж аю щ ей (связы ваю щ ей).
2. Записать решение для задачи, поставленной в вопросе 1, при
   легировании изотипной подлож ки и подлож ки с противополож ны м
   типом проводимости.
3. В чем ф изическая причина возникновения асимметрии ионно-
   имплантированны х проф илей?
4. К акие распределения, аппроксимиру ю щ ие асимметричны е ионно-
   имплантированны епроф или, В ы знаете?
5. Ч то такоекоэф ф ициентзату хания?
6. При каких у словиях в процессе имплантации примесь ю
   противополож ного типапо отношению к исходной примеси вподлож ке
   неф ормиру ю тся p-n переходы ?
7. В озмож но ли образование двух p-n переходов при диф ф у зионной
   разгонке ионно-имплантированного слоя, если граница является
   отраж аю щ ей? При каких у словиях образу ется один p-n переход?


              3. Постр ое н и е кон це н тр а ци он н ы х пр оф и ле й
  после ди ф ф узи он н ой р а з
                               гон ки и он н о-и м пла н ти р ова н н ой пр и м е си
             с пом ощ ью ком би н и р ова н н огор а спр е де ле н и я

      Д иф ф у зия из ионно-имплантированны х слоев слу ж ит для
активации и последу ю щ ей   разгонки примесей. При низких дозах
имплантации Q<100 м кК л/с м 2 диф ф у зия примесей из ионно-
имплантированного слоя идеткак диф ф у зия из ограниченного источникаи
в ряде слу чаев распределение концентрации N(x) мож но оценить с
помощ ь ю комбинированного распределения

                                                                   ( x − RP ) 2
                                                             −
                                            Q                    2 ( ∆R P2 + 2 Dt )
                        N ( x, t ) =                    ⋅e                            ,   (8)
                                       π 2∆R P2 + Dt


где Q - доза имплантации; Rp и ∆Rp - нормаль ны й пробег и страгглинг
внедряемы х ионов; D - коэф ф ициентдиф ф у зии при заданной температу ре;
t - время диф ф у зии.

Страницы