Диффузионное перераспределение ионно-имплантированных примесей. Быкадорова Г.В - 2 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

2
Утвержден научно- методическим советом физического
факультета от 19 января 2003 г.
Составители: Быкадорова Г . В .
Гольдфарб В . А .
Кожевников В .А .
Науч. ред. Асессоров В .В .
Практикум подготовлен на кафедре физики полупроводников и
микроэлектроники Воронежского государственного университета.
Рекомендуется для студентов 4 и 5 курсов физического факультета
специальности 014100 "Микроэлектроника и полупроводниковые
приборы ", а также студентов 6 курса, обучающихся в магистратуре по
направлению "Физика" (программа "Физика полупроводников.
Микроэлектроника"). 
                                      2




       У тверж ден нау чно-методическим советом ф изического
ф аку ль тетаот 19 января 2003 г.


                                   Составители: Бы кадороваГ.В .
                                                Голь дф арб В .А .
                                                К ож евниковВ .А .
                                   Н ау ч. ред. А сессоровВ .В .




     Практику м подготовлен на каф едре ф изики полу проводников и
микроэлектроники В оронеж ского госу дарственного у ниверситета.
     Рекоменду ется для сту дентов4 и 5 ку рсовф изического ф аку ль тета
специаль ности 014100 "М икроэлектроника и полу проводниковы е
приборы ", а такж е сту дентов6 ку рса, обу чаю щ ихся вмагистрату ре по
направлению      "Ф изика"   (программа "Ф изика полу проводников.
М икроэлектроника").

Страницы