ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
23
2. Германиевая подложка p-типа с удельным сопротивлением 1 Ом·см
имплантируется сурьмой с энергией 80 кэВ и дозой 20 мкКл/см
2
.
Используя комбинированное распределение рассчитать :
а) концентрационный профиль ионно- имплантированного мышьяка,
суммарный профиль и построить их в полулогарифмических
координатах lgN(x,t) – x;
б) концентрационный профиль после диффузионной разгонки при
температуре 1000 ºС в течение 2 часов;
в) температурную зависимость глубины залегания p-n перехода в
интервале 800÷1250 ºС при времени диффузионного отжига 1 час;
г) зависимость глубины залегания p-n перехода от времени в
интервале от 10 минут до 3 часов при температуре 1050 ºС ;
д) температурную зависимость поверхностной концентрации
сурьмы в диапазоне 800÷1300 ºС при времени диффузии 1 час;
е) временную зависимость поверхностной концентрации сурьмы в
диапазоне от 10 минут до 3 часов при температуре диффузии
1000 ºС ;
ж ) время диффузионного отжига, при котором концентрация сурьмы
на поверхности будет максимальна при температуре 1050 ºС ;
з ) время диффузионного отжига, при котором максимальная
концентрация сурьмы будет равна концентрации исходной
примеси в подложке, если температура отжига равна 1050 ºС ;
и) при каких временах образуются два p-n перехода, один p-n
переход, отсутствует p-n переход, если температура отжига
1100 ºС .
3. Проводится имплантация кремниевой подложки ионами бора с энергией
120 кэВ . Определить , при каких временах диффузионного отжига
можно воспользоваться для расчета концентрационного профиля
неусеченной гауссианой, если температура отжига равна 900 ºС .
4. В кремниевой подложке p-типа с исходной концентрацией 10
17
см
-3
формируется “скрытый” слой имплантацией фосфора с энергией
180 кэВ и дозой 100 мкКл/см
2
. Используя комбинированное
распределение, определить :
а) времена диффузионной разгонки, при которых образуется
“скрытый” слой, если температура разгонки равна 1100 ºС ;
б) при каком времени диффузионной разгонки концентрация примеси в
“скрытом” слое максимальна, если температура разгонки равна
1000 ºС .
Вопросы
1. Запишите второе уравнение Фика для полубесконечной подложки с
соответствующими граничными и начальными условиями при
диффузии из ионно- имплантированного слоя, начальное распределение
которого аппроксимируется неусеченной гауссианой. Границу считать
отражающей (связывающей ).
23 2. Германиевая подлож ка p-типа с у дель ны м сопротивлением 1 О м ·с м имплантиру ется су рь мой с энергией 80 кэВ и дозой 20 м кК л/с м 2. И споль зу я комбинированноераспределениерассчитать : а) концентрационны й проф иль ионно-имплантированного мы шь яка, су ммарны й проф иль и построить их в полу логариф мических координатах lgN(x,t) – x; б) концентрационны й проф иль после диф ф у зионной разгонки при температу ре1000 ºС втечение2 часов; в) температу рну ю зависимость глу бины залегания p-n перехода в интервале800÷1250 ºС при времени диф ф у зионного отж ига1 час; г) зависимость глу бины залегания p-n перехода от времени в интервалеот10 мину тдо 3 часовпри температу ре1050 ºС ; д) температу рну ю зависимость поверхностной концентрации су рь мы вдиапазоне800÷1300 ºС при времени диф ф у зии 1 час; е) временну ю зависимость поверхностной концентрации су рь мы в диапазоне от 10 мину т до 3 часовпри температу ре диф ф у зии 1000 ºС ; ж ) время диф ф у зионного отж ига, при котором концентрация су рь мы наповерхности бу детмаксималь напри температу ре1050 ºС ; з) время диф ф у зионного отж ига, при котором максималь ная концентрация су рь мы бу дет равна концентрации исходной примеси вподлож ке, если температу раотж игаравна1050 ºС ; и) при каких временах образу ю тся два p-n перехода, один p-n переход, отсу тствует p-n переход, если температу ра отж ига 1100 ºС . 3. Проводится имплантация кремниевой подлож ки ионами борас энергией 120 кэВ . О пределить , при каких временах диф ф у зионного отж ига мож но восполь зовать ся для расчета концентрационного проф иля неу сеченной гау ссианой, если температу раотж игаравна900 ºС . 4. В кремниевой подлож ке p-типа с исходной концентрацией 1017 с м -3 ф ормиру ется “скры ты й” слой имплантацией ф осф ора с энергией 180 кэВ и дозой 100 м кК л/с м 2. И споль зу я комбинированное распределение, определить : а) времена диф ф у зионной разгонки, при которы х образу ется “скры ты й” слой, если температу раразгонки равна1100 ºС ; б) при каком времени диф ф у зионной разгонки концентрация примеси в “скры том” слое максималь на, если температу ра разгонки равна 1000 ºС . В опросы 1. Запишите второе у равнение Ф ика для полу бесконечной подлож ки с соответствую щ ими граничны ми и началь ны ми у словиями при диф ф у зии из ионно-имплантированного слоя, началь ное распределение которого аппроксимиру ется неу сеченной гау ссианой. Границу считать отраж аю щ ей (связы ваю щ ей).