Диффузионное перераспределение ионно-имплантированных примесей. Быкадорова Г.В - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

25
Литература
1. Асессоров В .В . Математическое моделирование распределений ионно-
имплантированных примесей / В .В . Асессоров. - Воронеж : Изд-во
Воронеж . ун-та, 2002. - 100 с.
2. Бубенников А .Н . Физико-технологическое проектирование биполярных
элементов кремниевых БИС / А .Н . Бубенников, А .Д . Садовников. - М .:
Радио и связь , 1991. - 288 с.
3. Быкадорова Г . В . Математическое моделирование технологических
процессов в микроэлектронике. / Г.В .Быкадорова , Л .А . Битюцкая , В .А .
Гольдфарб , под общ . ред. И .С. Суровцева . - Воронеж : Изд-во Воронеж .
ун-та, 1997. Ч .1: Диффузия . - 116 с.
4. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов /
Под ред. П.Антонетти, Д .Антониадиса, Д . Даттона и др. – М .: Радио и
связь , 1988. – 496 с.
5. Ревелева М . А . Моделирование процессов распределения примеси в
полупроводниковых структурах / М .А . Ревелева . – М .: МГИЭТ(ТУ),
1996. – 196 с.
6. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-
имплантированных примесей / А .Ф . Буренков, Ф .Ф . Комаров, М .А .
Кумахов и др . – Минск: Изд-во БГУ , 1980. – 352 с. 
                                         25




                                 Л итерату ра

1. А сессоровВ .В . М атематическое моделирование распределений ионно-
    имплантированны х примесей / В .В . А сессоров. - В оронеж : И зд-во
    В оронеж . у н-та, 2002. - 100 с.
2. Бу бенниковА .Н . Ф изико-технологическое проектирование биполярны х
    элементовкремниевы х БИ С / А .Н . Бу бенников, А .Д . Садовников. - М .:
    Радио и связь , 1991. - 288 с.
 3. Бы кадорова Г.В . М атематическое моделирование технологических
    процессоввмикроэлектронике. / Г.В .Бы кадорова, Л .А . Битю цкая, В .А .
    Голь дф арб, под общ . ред. И .С. Су ровцева. - В оронеж : И зд-во В оронеж .
    у н-та, 1997. Ч .1: Д иф ф у зия. - 116 с.
4. М О П-СБИ С. М оделирование элементови технологических процессов/
    Под ред. П.А нтонетти, Д .А нтониадиса, Д . Д аттона и др. – М .: Радио и
    связь , 1988. – 496 с.
5. Ревелева М .А . М оделирование процессов распределения примеси в
    полу проводниковы х стру кту рах / М .А . Ревелева. – М .: М ГИ Э Т (Т У ),
    1996. – 196 с.
6. Т аблицы параметров пространственного распределения                    ионно-
    имплантированны х примесей / А .Ф . Бу ренков, Ф .Ф . К омаров, М .А .
    К у махови др. – М инск: И зд-во БГУ , 1980. – 352 с.

Страницы