Проектирование фильтров на поверхностно-акустических волнах. Чернышова Т.И - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

L
вых
=
∑
=
+
N
n
n
dh
1
выхвых
)2(
– длина выходного преобразователя;
L
1
= 8…10 мм – расстояние между преобразователями;
L
2
= 5…10 мм – расстояние между крайним электродом преобразователя и торцевой гранью звукопровода.
L
вх
= 13,3 ⋅ 10
–6
⋅ (2 ⋅ 10 – 1) + 6,6710
–6
= 0,259 ⋅ 10
–3
м;
L
вых
=
∑
=
−
⋅+
10
1
6
вых
1067,6)2(
n
n
h
= 2,368 ⋅ 10
–3
м;
L
д
= 0,259 ⋅ 10
–3
+ 2,368 ⋅ 10
–3
+ 10 ⋅ 10
–3
+ 2 ⋅ 5 ⋅ 10
–3
=
= 22,527 ⋅ 10
–3
м ≈ 22,5 мм.
Ширина звукопровода фильтра
L
ш
= W
вх
+ 2(L
3
+ L
4
),
где L
3
= 5…10 мм – расстояние между общей шиной решетки преобразователя и продольной гранью звукопровода; L
4
= 2d –
ширина общей шины решетки преобразователя.
L
ш
= 0,53 ⋅ 10
–3
+ 2 ⋅ (5 ⋅ 10
–3
+ 13,34 ⋅ 10
–6
) = 10,536 ⋅ 10
–3
м ≈ 10,5 мм.
Толщина звукопровода выбирается около 20λ для уменьшения влияния объемных волн. В нашем случае толщина звуко-
провода составляет 1,5 мм.
5. Описание конструкции проектируемого фильтра:
Фильтр содержит один входной преобразователь и один выходной. Входной преобразователь – эквидистантный неапо-
дизованный широкополосный, число пар штырей – 2. Выходной преобразователь – неэквидистантный аподизованный с чис-
лом пар штырей – 10.
Материалом для звукопровода проектируемого фильтра на ПАВ является ниобат лития с ориентацией
ZY. Класс обра-
ботки звукопровода –
∇13. Размеры подложки 22,5 × 10,5 × 1,5 мм.
Материалом изготовления штырей преобразователей является алюминий А99 ГОСТ11069–64, по соображениям наи-
меньшей стоимости. Для улучшения адгезии используется подслой ванадия. Для защиты от воздействия окружающей среды
элементы конструкции ВШП покрываются защитным материалом – фоторезист негативный ФН-11 ТУ6-14-631–71. В каче-
стве материала для поглотителей используется эпоксидная смола ЭД-5 ГОСТ10587–75.
Проектируемый фильтр изготовляют по методу прямой контактной фотолитографии.
Для герметизации фильтра используется металлостеклянный прямоугольный корпус из ковара, со штырьковыми выво-
дами типа 1210 (157.29-1), соответствующий по типоразмеру ГОСТ17467–79.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Развитие устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) является ярким примером рождения новой области
техники. Работы в этой области начались в 1960-х гг., после того, как были оценены потенциальные возможности примене-
ния рэлеевских волн в радиоэлектронике и были выработаны основные концепции проектирования широкого ряда уст-
ройств. Одновременно развивались методы анализа таких устройств, что, в свою очередь, привело к совершенствованию
приемов проектирования и улучшению параметров. В результате появился новый класс высококачественных радиоэлек-
тронных компонентов с широкими возможностями применения, в некоторых случаях позволяющих выполнять совершенно
новые процедуры обработки сигналов.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Коледов, Л.А. Конструирование и технология микросхем / Л.А. Коледов. – М. : Высшая школа, 1984. – 231 с.
2. Орлов, В.С. Фильтры на поверхностных акустических волнах / В.С. Орлов, В.С. Бондаренко. – М. : Радио и связь,
1984. – 272 с.
3. РЫЧИНА, Т.А. УСТРОЙСТВА ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОРАДИОЭЛЕМЕНТЫ / Т.А.
РЫЧИНА, А.В. ЗЕЛЕНСКИЙ. – М. : РАДИО И СВЯЗЬ, 1989. – 352 С.
4. Свитенко, В.Н. Электрорадиоэлементы: курсовое проектирование : учебное пособие для вузов / В.Н. Свитенко. – М. :
Высшая школа, 1987. – 207 с.
5. Фильтры на поверхностных акустических волнах (расчет, технология и применение) / под ред. Г. Меттьюза : пер. с
англ. под ред. В.Б. Акпамбетова. – М. : Радио и связь, 1981. – 472 с.

Страницы