Триботехническое материаловедение и триботехнология. Денисова Н.Е - 151 стр.

     Полученная при химическом оксидировании пленка электропроводна
и имеет толщину 0,5...1 мм. Ее твердость меньше, чем полученная при
анодировании.


     5.3 Процесс микродугового оксидирования

      Упрочнение при микродуговом оксидировании является результатом
электроплазмохимического преобразования поверхностного слоя в
многофазную       оксидную      керамику,     обладающую         хорошей
износостойкостью и теплостойкостью.
      Алюминий, титан и их сплавы, являясь перспективными
материалами в различных областях техники, имеют ряд недостатков:
низкий модуль упругости, недостаточная износостойкость и коррозионная
стойкость. Их устранение возможно применением технологий,
формирующих на поверхности деталей защитный слой. Одним из
вариантов таких покрытий является оксидный слой, который обладает
высокими твердостью и упругими характеристиками. Из общего числа
технологий формирования оксидного слоя наиболее производительным
является процесс микродугового оксидирования, который представляет
собой создание на поверхности деталей микродуговых разрядов,
приводящих к разложению электролита, высвобождению из него
атомарного кислорода, который, диффузионно внедряясь в поверхностный
слой, приводит к окислению металла.
      Наиболее часто рост оксидного слоя протекает через стадии:
- анодного оксидирования в безыскровом режиме;
- искрового оксидирования;
- микродугового оксидирования;
- дугового оксидирования.
      Переход от одной стадии процесса к другой обусловлен
перестроением структуры оксидного слоя.
      При оксидировании в безыскровом режиме объемный заряд
сосредоточен преимущественно на границе металлоксидный слой, в
области барьерного слоя.
      Переход в режим искрения сопровождается электрическим пробоем
анодного оксида и его частичным разрушением. Сочетание процессов
электрического пробоя барьерного слоя и плазмохимического образования
расплавленного оксида в местах пробоя приводит к утолщению первичного
барьерного слоя и перемещению зоны объемного заряда в глубь покрытия.