ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
32
сопротивления металлических обкладок конденсатора. Такая зависимость
tgδ = tgδ(f) является типичной для пленочного конденсатора. Возрастание
tgδ наблюдалось при повышении температуры окружающей среды. Считают,
что такое изменение определяется главным образом температурной
зависимостью σ.
Относительная погрешность емкости ℵ
С
ℵ
С
= ℵ
С0
+ ℵ
СТ
+ℵ
S
+ ℵ
Сст
, (1.36)
где ℵ
С0
- относительная погрешность С
0
, характеризующая
воспроизводимость этой величины в условиях данного производства
(зависимость от материала и погрешности толщины диэлектрика и составляет
3-5%).
ℵ
S
- относительная погрешность активной площади
,
⋅
⋅
+
⋅
==ℵ
B
A
ABBA
S
S ΔΔΔ
S
(1.37)
где ∆S, ∆A, ∆B - соответственно абсолютные погрешности S, А и В верхней
обкладки пленочного конденсатора ℵ
S
минимальна, если обкладки
пленочного конденсатора имеют квадратную форму. Отклонение контура
верхней обкладки от квадрата увеличивает ℵ
S
для учета этих отклонений
используют коэффициент формы К
Ф
= А/В
Тогда при ∆A = ∆B
.
⋅
+
=ℵ
SK
K
A
Ф
Ф
1
S
Δ
(1.38)
ℵ
Ст
- относительная температурная погрешность
ℵ
Ст
= (1/C
H
)⋅(dC/dT)⋅(T
макс
– Т
комн
) = α
С
(T
макс
− 20°С ), (139)
где α
С
= (1/C)⋅(dC/dT) −ТКЕ , выбираемый из табличных данных.
Коэффициент старения ℵ
Сст
определяет изменение емкости пленочного
конденсатора, которое происходит вследствие деградационных явлений в
пленке диэлектрика за время ∆ t :
ℵ
С ст
= (∆C/C)/∆t ≈ ℵ
СТ
ε
, (1.40)
53
порядковыми номерами . Обход их осуществляется сверху вниз и слева
направо. Допускается установка навесных компонентов на пленочные
проводники и резисторы, защищенные пленкой диэлектрика, но не следует
их устанавливать на пленочные конденсаторы и пересечения межсоединений.
По периферии платы предусматривается технологическое свободное поле
размером не менее 0,5 мм. В левом нижнем углу платы необходимо
расположить ключ (знак для ориентации), для чего несколько увеличивают
размеры нижней левой контактной площадки. Ключ может быть выполнен
также в виде какой-либо фигуры, например треугольника, нанесенной на
свободное поле платы . Расположение компонентов с гибкими выводами на
плате рекомендуется указывать знаками , выполняемыми одновременно с
нанесением пленочных элементов .
Одновременно с размещением элементов и компонентов параллельно
осям координат проводят трассы электрической связи (проводники). Для
устранения пересечения часто трассы пленочных проводников располагают
под проволочными выводами навесных компонентов или между контактны-
ми площадками компонентов с жесткими выводами . Для минимизации дли-
ны проводников пленочные элементы обычно группируют вокруг связан-
ных с ними активных навесных компонентов . При разработке схемы соеди-
нений рекомендуется пленочные и проволочные проводники делать разного
цвета . При разработке эскиза топологии учитывают конструкторские требо-
вания и технологические ограничения. Основные требования и ограниче-
ния, касающиеся конструкции и технологии изготовления тонкопленочных
ГИМС, приведены в табл . 2.2. Однако следует учитывать , что указанные в
таблице размеры можно использовать только в учебных целях. При оформ-
лении производственных чертежей размеры должны быть откорректирова-
ны с учетом технологических возможностей предприятия-изготовителя.
При проработке первого варианта топологии обычно не удается полу-
чить приемлемую конфигурацию слоев. Работа над следующим вариантом
сводится к устранению недостатков первого . В процессе вычерчивания то -
пологии возможны изменения геометрии пассивных элементов , позволяю-
щие оптимизировать компоновку микросхемы . Следует учитывать , что спо-
соб и последовательность работы по размещению и выбору пленочных эле-
ментов могут быть различными . Эта работа во многом определяется опы-
том разработчика и носит индивидуальный характер .
сопр отив л ения метал л ич е ск их обк л ад ок к онд енсатор а. Так ая зав исимость пор яд к ов ы ми номер ами. Обход их осуще ств л яе тся св е р ху в низ и сл ев а tgδ = tgδ(f) яв л яется типич ной д л я пл еноч ного к онд енсатор а. В озр астание напр ав о. Д опуск ае тся установ к а нав е сны х к омпоне нтов на пл е ноч ны е tgδ набл юд ал ось пр и пов ы шении темпер атур ы ок р ужающейср ед ы . Сч итают, пр ов од ник и и р е зистор ы, защищенны е пл енк ой д иэ л ек тр ик а, но не сл ед ует ч то так ое изме не ние опр ед е л яе тся гл ав ны м обр азом те мпе р атур ной ихустанав л ив ать на пл еноч ны е к онд енсатор ы и пер е сеч ения межсоед инений. зав исимостью σ. П о пер ифер ии пл аты пр ед усматр ив ается технол огич е ск ое св обод ное пол е р азме р ом не ме не е 0,5 мм. В л е в ом нижне м угл у пл аты не обход имо р аспол ожить к л юч (знак д л я ор иентации), д л я ч его не ск ол ьк о ув ел ич ив ают Относител ьная погр ешность емк ости ℵС р азмер ы нижней л ев ой к онтак тной пл ощад к и. Кл юч можетбы ть в ы пол нен так же в в ид е к ак ой-л ибо фигур ы , напр имер тр еугол ьник а, нане сенной на ℵС = ℵС 0 + ℵС +ℵS + ℵС ст, (1.36) Т св обод ное пол е пл аты . Распол ожение к омпонентов с гибк ими в ы в од ами на гд е ℵ С 0 - от носитель на я п ог р еш ност ь С0 , хар ак те р изующ ая пл ате р ек оменд уется ук азы в ать знак ами, в ы пол няемы ми од нов р еменно с в оспр оизв од имость э той в е л ич ины в усл ов иях д анного пр оизв од ств а нане сениемпл еноч ны х э л ементов . (зав исимость отматер иал а и погр ешности тол щины д иэ л ек тр ик а и состав л яет Од нов р еменно с р азмещением э л ементов и к омпонентов пар ал л е л ьно 3-5%). осям к оор д инатпр ов од яттр ассы э л е к тр ич е ск ой св язи (пр ов од ник и). Д л я ℵS - относитель на я п огр еш ность а ктивнойп лощ а ди устр анения пер е сеч ения ч асто тр ассы пл еноч ны хпр ов од ник ов р аспол агают ΔS ΔA ⋅B + ΔB ⋅ A под пр ов ол оч ны ми в ы в од ами нав е сны хк омпонентов ил и межд ук онтак тны - ℵS = = , (1.37) S A ⋅B ми пл ощад к ами к омпонентов с же стк ими в ы в од ами. Д л я минимизации д л и- гд е ∆S, ∆A, ∆B - соотв етств енно а бсолютны е п огр еш ности S, А и В в ер хней ны пр ов од ник ов пл еноч ны е э л ементы обы ч но гр уппир уютв ок р уг св язан- обк л ад к и пл е ноч ного к онд е нсатор а ℵ S минимал ьна, е сл и обк л ад к и ны хс ними ак тив ны хнав е сны х к омпонентов . П р и р азр аботк е схемы соед и- пл еноч ного к онд енсатор а имеютк в ад р атную фор му. Отк л онение к онтур а нений р ек оменд уется пл еноч ны е и пр ов ол оч ны е пр ов од ник и д ел ать р азного в ер хней обк л ад к и отк в ад р ата ув ел ич ив аетℵS д л я уч ета э тих отк л онений цв ета. П р и р азр аботк е э ск иза топол огии уч иты в аютк онстр ук тор ск ие тр ебо- испол ьзуюткоэф ф ициент ф ор мы К Ф = А/В в ания и технол огич е ск ие огр анич ения. Основ ны е тр ебов ания и огр анич е- Тогд а пр и ∆A = ∆B ния, к асающие ся к онстр ук ции и технол огии изготов л ения тонк опл еноч ны х ГИМ С, пр ив ед ены в табл . 2.2. Од нак о сл ед уетуч иты в ать, ч то ук азанны е в 1+ K Ф ℵS = Δ A . (1.38) табл ице р азмер ы можно испол ьзов ать тол ьк о в уч ебны х цел ях. П р и офор м- KФ ⋅S л ении пр оизв од ств енны х ч ер тежей р азмер ы д ол жны бы ть откор р ек тир ов а- ℵС т- относитель на я темп ер а тур на я п огр еш ность ны с уч етом технол огич е ск их в озможностей пр ед пр иятия-изготов ител я. П р и пр ор аботк е пер в ого в ар ианта топол огии обы ч но не уд ается пол у- ℵС т= (1/CH)⋅(dC/dT)⋅(Tма кс –Т комн) = αС (Tма кс − 20°С ), (139) ч ить пр иемл емую к онфигур ацию сл оев . Работа над сл ед ующимв ар иантом гд е αС = (1/C)⋅(dC/dT) −ТКЕ , в ы бир аемы й изтабл ич ны хд анны х. св од ится к устр анению нед остатков пер в ого. В пр оце ссе в ы ч ер ч ив ания то- пол огии в озможны изменения геометр ии пассив ны х э л ементов , позв ол яю- К оэф ф ициент ста р ения ℵС ст опр ед ел яетизменение емк ости пл еноч ного щие оптимизир ов ать к омпонов к умик р осхемы. С л ед уетуч иты в ать, ч то спо- к онд енсатор а, к отор ое пр оисход итв сл ед ств ие д егр ад ационны х яв л ений в соб и посл ед ов ател ьность р аботы по р азмещению и в ы бор упл еноч ны х э л е- пл енк е д иэ л ек тр ик а за в р емя ∆t : ментов могутбы ть р азл ич ны ми. Э та р абота в о многом опр ед ел яется опы - ℵС ст = (∆C/C)/∆t ≈ ℵС Тε , (1.40) томр азр аботч ик а и носитинд ив ид уал ьны й хар ак тер . 32 53
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »