ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
31
используемых материалов . Она определяется потерями в диэлектрике и в
обкладках конденсатора
Q = (tgδ)
-1
= (tgδ
g
+ tgδ
обкл
)
-1
, (1.34)
где tgδ
обкл
− тангенс угла потерь в обкладках и выводах конденсатора;
tgδ
обкл
= 2π ⋅ ƒ
раб
(r
обкл
+ r
В
) ⋅ С ,(1.35)
r
обкл
- последовательное сопротивление обкладок ;
r
В
- сопротивление выводов .
Сопротивление r
обкл
зависит от конструкции конденсатора, проводимости
материалов обкладок , их геометрических размеров , а также картины
распределения линий тока в обкладках. Для конденсаторов с 2-х сторонним
расположением выводов r
обкл
≈ (r
он
+ r
ов
)/3,
где r
он
и r
ов
- сопротивление нижней и верхней обкладок . Добротность
пленочного конденсатора Q = 10 ÷ 100. В практических расчетах tgδ -
справочная величина .
Тангенс угла диэлектрических потерь существенно зависит от частоты
сигнала и температуры окружающей среды. На рис 1.10 приведена
экспериментальная зависимость tgδ = tgδ(f) пленочного конденсатора на
основе напыленной окиси алюминия.
Рис. 1.10. Экспериментальная зависимость tgδ конденсатора от частоты
Возрастание tgδ на низких частотах обусловлено сопротивлением утечки и
релаксационными потерями , а на высоких частотах ростом эквивалентного
54
После разработки эскиза топологии производится оценка ее соответствия
электрическим, конструктивным и технологическим требованиям. На этом
этапе разработки необходимо тесное взаимодействие между разработчика-
ми схемы , конструкторами и технологами . На завершающем этапе рассчи-
тывают тепловой режим микросхемы , параметров надежности и технико-
экономические показатели. При необходимости в топологию вносят изме -
нения. Окончательный вариант эскиза топологии воплощается в виде топо-
логического чертежа, на первом листе которого всегда размещается чертеж
общего вида с изображением всех слоев одновременно. На общем виде то -
пологии обязательно проставляют позиционные обозначения элементов мик -
росхемы согласно принципиальной электрической схеме . Кроме общего вида
на первом листе топологического чертежа приводят технические требова-
ния и таблицы, в которых помещают данные по изготовлению отдельных
слоев и величинах электрических параметров элементов микросхемы , полу-
чаемых по этому чертежу. На рис.2.2 показан пример оформления чертежа
общего вида топологии тонкопленочной гибридной микросхемы . При вы-
полнении учебных заданий можно ограничиться только чертежом общего
вида топологии без таблиц и технических требований.
По чертежу, общего вида топологии выполняют чертежи на отдельные
слои и располагают их на следующих листах. По этим чертежам затем изго -
товляют фотошаблоны и маски, необходимые для формирования конфигу-
раций элементов микросхемы , При разработке топологии ГИМС основным
способом задания местоположения элементов и их геометрических разме -
ров является способ прямоугольных координат. Вершины фигур элементов
располагают в точках пересечения линий координатной сетки и нумеруют
арабскими цифрами . Контур каждого элемента , начиная с левого нижнего
угла, обходят по часовой стрелке. При отсутствии места на поле чертежа для
нумерации вершин элементов допускается проставление номера только у
левого нижнего угла. Координаты вершин элементов помещают в таблицу,
которая, как правило, располагается на чертеже слоя . Однако такую таблицу
разрешается оформлять и в виде отдельного самостоятельного документа .
При выполнении учебных разработок в качестве координатной сетки ре-
комендуется использовать миллиметровую бумагу. За шаг координатной сетки
следует выбирать 0,5 мм. Послойные чертежи допускается выполнять
П осл е р азр аботк и э ск иза топол огии пр оизв од ится оценк а ее соотв етств ия испол ьзуемы х матер иал ов . Она опр ед ел яется потер ями в д иэ л ек тр ик е и в э л ек тр ич е ск им, к онстр ук тив ны м и технол огич е ск им тр ебов аниям. Н а э том обк л ад к ах к онд енсатор а э тапе р азр аботк и необход имо те сное в заимод ейств ие межд ур азр аботч ик а- ми схемы , к онстр ук тор ами и технол огами. Н а зав ер шающем э тапе р ассч и- Q = (tgδ)-1 = (tgδg + tgδобкл)-1, (1.34) ты в аюттепл ов ой р ежим мик р осхемы, пар аметр ов над ежности и техник о- гд е tgδобкл − та нгенс угла п отер ь в обкла дка х и вы вода х к онд енсатор а; э к ономич е ск ие пок азател и. П р и необход имости в топол огию в носятизме - нения. Ок онч ател ьны й в ар иантэ ск иза топол огии в опл ощается в в ид е топо- tgδобкл = 2π ⋅ ƒр аб(rобкл + rВ ) ⋅ С , (1.35) л огич е ск ого ч ер тежа, на пер в омл исте к отор ого в сегд а р азмещается ч ер теж общего в ид а с изобр ажениемв сех сл оев од нов р еменно. Н а общемв ид е то- rобкл - п оследова тель ное соп р отивление обкла док; пол огии обязател ьно пр остав л яютпозиционные обознач ения э л ементов мик - rВ - соп р отивление вы водов. р осхемы согл асно пр инципиал ьнойэ л ек тр ич е ск ойсхеме. Кр оме общего в ид а на пер в ом л исте топол огич е ск ого ч ер тежа пр ив од яттехнич е ск ие тр ебов а- С опр отив л ение rобкл зав иситотк онстр ук ции к онд енсатор а, пр ов од имости ния и табл ицы , в к отор ы х помещаютд анны е по изготов л ению отд ел ьны х мате р иал ов обк л ад ок , их ге оме тр ич е ск их р азме р ов , а так же к ар тины сл оев и в ел ич инахэ л ек тр ич е ск ихпар аметр ов э л ементов мик р осхемы, пол у- р аспр ед ел ения л иний ток а в обк л ад к ах. Д л я к онд енсатор ов с 2-хстор онним ч аемы х по э томуч ер тежу. Н а р ис.2.2 пок азан пр имер офор мл ения ч ер тежа р аспол ожениемв ы в од ов rобкл ≈ (rон + rов )/3, общего в ид а топол огии тонк опл еноч ной гибр ид ной мик р осхемы. П р и в ы - пол нении уч ебны х зад аний можно огр анич иться тол ьк о ч ер тежом общего гд е rон и rов - соп р отивление ниж ней и вер хней обкла док. Д обр отность в ид а топол огии бе зтабл иц и технич е ск их тр ебов аний. пл еноч ного к онд енсатор а Q = 10 ÷ 100. В пр ак тич е ск их р асч е тах tg δ - сп р а вочна я величина . П о ч ер тежу, общего в ид а топол огии в ы пол няютч ер тежи на отд ел ьны е Танге нс угл а д иэ л е к тр ич е ск их поте р ь суще ств е нно зав иситотч астоты сл ои и р аспол агаютихна сл ед ующихл истах. П о э тимч ер тежамзатемизго- сигнал а и те мпе р атур ы ок р ужающе й ср е д ы . Н а р ис 1.10 пр ив е д е на тов л яютфотошабл оны и маск и, необход имы е д л я фор мир ов ания к онфигу- э к спер иментал ьная зав исимость tgδ = tgδ(f) пл еноч ного к онд енсатор а на р аций э л ементов мик р осхемы, П р и р азр аботк е топол огии ГИМ С основ ны м основ е напы л енной ок иси ал юминия. способом зад ания ме стопол ожения э л ементов и их геометр ич е ск их р азме - р ов яв л яется способ пр ямоугол ьны х к оор д инат. В ер шины фигур э л ементов р аспол агаютв точ к ах пер е сеч ения л иний к оор д инатной сетк и и нумер уют ар абск ими цифр ами. Контур к ажд ого э л емента, нач иная с л ев ого нижнего угл а, обход ятпо ч асов ойстр ел к е. П р и отсутств ии ме ста на пол е ч ер тежа д л я нумер ации в ер шин э л ементов д опуск ается пр остав л ение номер а тол ьк о у л ев ого нижнего угл а. Коор д инаты в ер шин э л ементов помещаютв табл ицу, к отор ая, к ак пр ав ил о, р аспол агается на ч ер теже сл оя. Од нак о так ую табл ицу р азр ешается офор мл ять и в в ид е отд ел ьного самостоятел ьного д ок умента. П р и в ы пол нении уч ебны хр азр аботок в к ач е ств е к оор д инатной сетк и р е- Р и с. 1.10. Эксп ери мент альнаязави си мост ьtgδ конд енсат ора от част от ы к оменд уется испол ьзовать мил л иметр овую бумагу. За шагк оор д инатнойсетк и В озр астание tgδ на низк их ч астотах обусл ов л ено сопр отив л ениемутеч к и и сл ед ует в ы бир ать 0,5 мм. П осл ойны е ч ер те жи д опуск ае тся в ы пол нять р ел ак сационны ми потер ями, а на в ы сок их ч астотахр остомэ к в ив ал ентного 54 31
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »