ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
29
Тонкопленочные конденсаторы на основе окислов кремния и германия,
получившие широкое распространение ввиду простоты технологии, в
настоящее время из-за невысокой стабильности и надежности применяются
значительно реже .
Материал обкладок тонкопленочного конденсатора должен обладать
высокой электропроводностью, малой миграционной подвижностью атомов
для предотвращения диффузии в диэлектрик , хорошей адгезией, как к
подложке, так и ранее сформированным пленкам, невысокой температурой
нанесения и достаточной химической стойкостью. Материал нижней
обкладки конденсатора должен иметь минимальное количество
микронеровностей высотой не более 0,025 мкм.
Из всех металлов с высокой проводимостью ( Au, Ag, Сu, А 1 ) только
последний наиболее полно удовлетворяет перечисленным требованиям.
Другие из названных металлов не нашли применения в основном из-за
высокой миграционной подвижности атомов . Часто , при изготовлении
обкладок конденсатора из алюминия, применяют подслой из титана или
ванадия.
Толстопленочные проводниковые пленки, кроме выполнения общих
требований, должны быть совместимыми с диэлектрическими пастами .
Проводниковые пасты изготавливаются на основе золота , золота - платины,
золота - палладия, палладия-серебра, индия, рения. Пасты на основе золота
обеспечивают наиболее низкое поверхностное сопротивление (R
= (0,001 −
0,003) Ом / ).
1.2.3. Основные параметры конденсатора
1. Номинальная емкость С
Н
- задается условиями схемы и определяется по
известной формуле
,⋅=⋅=
⋅
⋅
=
ВВ00H
ВАСS С
d
S
С
0
ε
ε
где ε
0
- диэлектрическая постоянная (ε
0
= 0,0885 пФ /см);
С
0
- удельная емкость (С
0
= 0,0885(ε ⁄ d) пФ /см
2
);
ε - диэлектрическая проницаемость диэлектрика ;
S - площадь взаимного перекрытия обкладок .
При определении С
Н
пленочных конденсаторов малой площади необходимо
учитывать увеличение емкости , обусловленное влиянием краевого эффекта .
В общем случае
56
Минимальное расстояние
между краем пленочного
резистора и краем его
контактной площадки j,
мм
0,2
0,1
0,2
Максимальное отклонение
сопротивления резистора
от номинального значения,
%
± 20
±15
±15
Минимально допустимые
расстояния, мм:
- между краями
диэлектрика и нижней
обкладки конденсатора f;
0,1
0,1
0,1
- между краями верхней и
нижней обкладок
конденсатора g;
0,2
0,2
0,2
- между краем
диэлектрика и
соединением вывода
конденсатора с другим
пленочным элементом h;
0,3
0,3
0,3
- между краями
диэлектрика и нижней
обкладкой конденсатора в
месте вывода верхней
обкладки;
0,2
0,2
0,2
- от пленочного
конденсатора до
приклеиваемых навесных
компонентов z;
0,5
0,5
0,5
Минимальная площадь
перекрытия обкладок
конденсаторов
L
х В
мм;
0,5х
0,5
0,5х
0,5
0,5х
0,5
Максимальное отклонение
емкости конденсатора от
номинального значения, %
± 12
±12
±12
М инимал ьное р асстояние Тонк опл еноч ны е к онд енсатор ы на основ е ок исл ов к р емния и гер мания, ме жд ук р ае мпл е ноч ного 0,2 0,1 0,2 пол уч ив шие шир ок ое р аспр остр ане ние в в ид у пр остоты те хнол огии, в р е зистор а и к р ае ме го настоящее в р емя из-за нев ы сок ой стабил ьности и над ежности пр именяются к онтак тной пл ощад к и j, знач ител ьно р еже. мм М а тер иа л обкла док тонк опл е ноч ного к онд енсатор а д ол жен обл ад ать М ак симал ьное отк л оне ние в ы сок ойэ л ек тр опр ов од ностью, мал оймигр ационнойпод в ижностью атомов сопр отив л е ния р е зистор а ±20 ±15 ±15 д л я пр ед отв р ащения д иффузии в д иэ л е к тр ик , хор оше й ад ге зие й, к ак к отноминал ьного знач е ния, под л ожк е, так и р анее сфор мир ов анны мпл енк ам, нев ы сок ой темпер атур ой % М инимал ьно д опустимы е нане се ния и д остаточ ной химич е ск ой стойк остью. М ате р иал нижне й р асстояния, мм: обк л ад к и к онд е нсатор а д ол же н име ть минима ль ное к ол ич е ств о - ме жд ук р аями мик р онер ов ностей в ы сотой не бол ее 0,025 мк м. Из в сех метал л ов с в ы сок ой пр ов од имостью ( Au, Ag, С u, А 1 ) тол ьк о д иэ л е к тр ик а и нижне й посл ед ний наибол е е пол но уд ов л етв ор яе тпер еч исл енны м тр ебов аниям. обк л ад к и к онд е нсатор а f; 0,1 0,1 0,1 Д р угие из назв анны х метал л ов не нашл и пр имене ния в основ ном из-за - ме жд ук р аями в е р хне й и в ы сок ой мигр ационной под в ижности атомов . Часто, пр и изготов л е нии нижне й обк л ад ок обк л ад ок к онд енсатор а из ал юминия, пр име няютпод сл ой из титана ил и к онд е нсатор а g; 0,2 0,2 0,2 - ме жд ук р ае м в анад ия. д иэ л е к тр ик а и Тол стопл е ноч ны е пр ов од ник ов ы е пл е нк и, к р оме в ы пол не ния общих сое д ине ние мв ы в од а тр ебов аний, д ол жны бы ть сов ме стимы ми с д иэ л е к тр ич е ск ими пастами. к онд е нсатор а с д р угим П р ов од ник ов ы е пасты изготав л ив аются на основ е зол ота, зол ота-пл атины , пл е ноч ны мэ л е ме нтомh; 0,3 0,3 0,3 зол ота-пал л ад ия, пал л ад ия-сер ебр а, инд ия, р ения. П асты на основ е зол ота - ме жд ук р аями обе спеч ив аютнаибол ее низк ое пов ер хностное сопр отив л ение (R = (0,001 − д иэ л е к тр ик а и нижне й 0,003) Ом/ ). обк л ад к ой к онд е нсатор а в ме сте в ы в од а в е р хне й 1.2.3. О сновны е п арам ет ры конд енсат ора обк л ад к и; 0,2 0,2 0,2 1. Н оминал ьная емк ость С Н - зад ается усл ов иями схемы и опр ед ел яется по изв е стной фор мул е - отпл е ноч ного к онд е нсатор а д о ε ⋅ ε0 ⋅ S СH = = С0 ⋅ S = С0 ⋅ АВ В В , пр ик л е ив ае мы хнав е сны х d к омпоне нтов z; 0,5 0,5 0,5 гд е ε0 - диэлектр ическа я п остоянна я (ε0 = 0,0885 пФ /см); М инимал ьная пл ощад ь 0,5х 0,5х 0,5х С0 - удель на я емкость (С0 = 0,0885(ε ⁄ d) пФ /см2); пе р е к р ы тия обк л ад ок 0,5 0,5 0,5 ε - диэлектр ическа я п р оница емость диэлектр ика ; к онд е нсатор ов L х В мм; S - п лощ а дь вза имногоп ер екр ы тия обкла док. М ак симал ьное отк л оне ние П р и опр ед ел ении С Н пл еноч ны хк онд енсатор ов мал ой пл ощад и необход имо е мк ости к онд е нсатор а от уч иты в ать ув ел ич ение емк ости, обусл ов л енное в л ияниемк р аев ого э ффек та. ±12 ±12 ±12 номинал ьного знач е ния, % В общемсл уч ае 56 29
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- …
- следующая ›
- последняя »