ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
28
Тангенс угла диэлектрических потерь tgδ является количественной мерой
потерь в данном диэлектрике. Эти потери обусловлены свойствами материала
диэлектрика и определяются суммой миграционных и дипольно-
релаксационных потерь. Миграционные потери связаны со сквозной
электропроводностью в диэлектрике, уменьшаются с увеличением частоты
по гиперболическому закону и увеличиваются по экспоненциальному закону
с ростом температуры. Дипольно-релаксационные потери обусловлены
процессами ориентации диполей в электрическом поле при их хаотических,
обусловленных тепловым движением, колебаниях около среднего положения
равновесия.
Релаксационные потери характеризуются наличием максимумов в
частотной и температурной зависимостях tgδ . На рис. 1.8 показан типичный
вид зависимостей tgδ от частоты для диэлектрика с поляризационными
потерями и потерями сквозной электропроводности (σ −
электропроводность диэлектрика ).
Выбор материала диэлектрика осуществляют с учетом области
применения ИМС. Так , конденсаторы на основе пленок ИБС и АСС,
обладающих достаточно высокими значениями ε и повышенной
стабильностью параметров , применяют в линейных ИМС на частотах до 10
МГц, когда требуется высокая степень интеграции и высокая надежность в
эксплуатации. В ИМС частотной селекции и микросхемах, работающих на
высоких температурах, целесообразно использование конденсаторов на
основе БСС, которые обладают меньшим ТКЕ и наибольшими значениями
Q, Е
ПР
в широком диапазоне частот и температур .
Рис. 1.8. Зависимость tgδ от частоты
57
Минимальная ширина
пленочных проводников
i
при токе до
6
А , мм
0,1
0,05
0,1
Минимальное расстояние
от проволочного
проводника или вывода до
края контактной площадки
или до края пленочного
проводника,
незащищенного изоляцией
к
, мм
0,2
0,2
0,2
Минимальные размеры
контактных площадок для
монтажа навесных
компонентов с
шариковыми или
столбиковыми выводами ,
мм: m
0,2
0,2
0,2
n
0,1 0,1 0,1
Максимальная длина
гибкого вывода без
дополнительного
крепления
O
, мм.
3,0
3,0
3,0
Минимальное расстояние,
мм, между контактными
площадками для монтажа
навесных компонентов с
шариковыми или
столбиковыми выводами и
- пленочным резистором
0,6
0,6
0,6
- диэлектриком
конденсатора
0,35 0,35 0,35
Минимальное расстояние,
мм, от края навесного
компонента до:
-
края платы
0,4
0,4
0,4
Т а нгенс угла диэлектр ических п отер ь tgδ явл яется к ол ич е ств енноймер ой М инимал ьная шир ина потер ь в д анномд иэ л ек тр ик е. Э ти потер и обусл овл ены св ойствами матер иал а пл еноч ны хпр ов од ник ов i 0,1 0,05 0,1 д иэ л е к тр ик а и опр е д е л я ются суммой мигр ационны х и д ипол ьно- пр и ток е д о 6 А , мм М инимал ьное р асстояние р е л ак сационны х поте р ь. М игр ационны е поте р и св язаны со ск в озной отпр ов ол оч ного э л ек тр опр ов од ностью в д иэ л ек тр ик е, уменьшаются с ув ел ич ениемч астоты пр ов од ник а ил и в ыв од а д о по гипер бол ич е ск омузак онуи ув ел ич ив аются по э к споненциал ьномузак ону к р ая к онтак тной пл ощад к и с р остом те мпе р атур ы . Д ипол ьно-р е л ак сационны е поте р и обусл ов л е ны ил и д о к р ая пл е ноч ного пр оце ссами ор иентации д ипол ей в э л ек тр ич е ск омпол е пр и иххаотич е ск их, пр ов од ник а, обусл ов л енны хтепл ов ы мд в ижением, к ол ебанияхок ол о ср ед него пол ожения не защище нного изол яцие й р ав нов е сия. к, мм 0,2 0,2 0,2 М инимал ьны е р азмер ы к онтак тныхпл ощад ок д л я монтажа нав есны х к омпонентов с шар ик ов ы ми ил и стол бик ов ыми в ы в од ами, 0,2 0,2 0,2 мм: m n 0,1 0,1 0,1 М ак симал ьная д л ина Р и с. 1.8. Зави си м ост ьtgδ от част от ы гибк ого в ыв од а без Ре л ак сационны е поте р и хар ак те р изуются нал ич ие м мак симумов в д опол ните л ьного ч астотнойи темпер атур нойзав исимостяхtgδ . Н а р ис. 1.8 пок азан типич ны й к р е пл ения O, мм. 3,0 3,0 3,0 в ид зав исимосте й tg δ отч астоты д л я д иэ л ек тр ик а с пол яр изационны ми М инимал ьное р асстояние , мм, ме жд ук онтак тны ми поте р ями и поте р ями ск в озной э л е к тр опр ов од ности ( σ − пл ощад к ами д л я монтажа электр оп р оводность диэлектр ика ). нав е сныхк омпоне нтов с В ы бор мате р иал а д иэ л е к тр ик а осуще ств л яют с уч е том обл асти шар ик ов ыми ил и пр име не ния ИМ С . Так , к онд е нсатор ы на основ е пл е нок ИБ С и А С С , стол бик ов ы ми в ыв од ами и обл ад ающ их д остаточ но в ы сок ими знач е ния ми ε и пов ы ш е нной 0,6 0,6 0,6 - пл еноч ны мр езистор ом стабил ьностью пар аметр ов , пр именяютв л инейны хИМ С на ч астотахд о 10 - д иэ л е к тр ик ом 0,35 0,35 0,35 М Гц, к огд а тр ебуется в ы сок ая степень интегр ации и в ы сок ая над ежность в к онд е нсатор а э к спл уатации. В ИМ С ч астотной сел ек ции и мик р осхемах, р аботающих на М инимал ьное р асстояние , в ы сок их те мпер атур ах, це л е сообр азно испол ьзов ание к онд енсатор ов на мм, отк р ая нав есного основ е Б С С , к отор ы е обл ад аютмень ш им ТКЕ и на иболь ш ими знач ениями к омпоне нта д о: Q, Е П Р в шир ок омд иапазоне ч астоти темпер атур . - к р ая пл аты 0,4 0,4 0,4 28 57
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »