ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
7
Рис.1.3. Конструкция резистора типа “змейка”.
Сопротивление «змейки» будет состоять из сопротивления прямолинейных
и криволинейных участков резистора.
R
З
= R
⋅ nΣ + [m’ (1,57 / ln ( r
1
/ r
2
)) ⋅ R
] + 2R
K
, (1.4)
где n
Σ
- суммарное число квадратов прямолинейных участков ;
m’ - число изгибов конфигурации.
Следует учитывать , что величина контактного сопротивления в сильной
степени зависит от выбора контактных материалов , а также технологических
условий их получения. Поэтому в каждой лаборатории значения R
K
определяют экспериментально. При расчете высокоомных резисторов
обычно величиной R
K
пренебрегают.
Допуск на номинальное сопротивление ∆R/R определяется относительным
изменением сопротивления резистора, обусловленным техническими
погрешностями изготовления и дестабилизирующими факторами ,
связанными с температурными изменениями и старением материалов .
Полная относительная погрешность резистора ℵ
R
= ∆R/R определяется
суммой всех погрешностей изготовления и погрешностей, возникающих при
его эксплуатации
ℵ
R
= ∆R/R = ℵ
R
+ ℵ
Кф
+ ℵ
Rk
+ ℵ
Rт
+ ℵ
Rcт
, (1.5)
где ℵ
R
- относительная погрешность воспроизведения R
ℵ
R
= ( ∆ρ / ρ ) + (∆d / d),
ℵ
КФ
- относительная погрешность K
Ф
ℵ
Кф
= ( ∆l / l ) + ( ∆b / b ),
ℵ
RK
- погрешность переходных контактных сопротивлений
ℵ
RТ
- погрешность , связанная с температурной нестабильностью
сопротивления
ℵ
RТ
= α
R
⋅ ∆T ,
ℵ
RCT
- погрешность , связанная со старением материала.
78
2.3.6. Последовательность основных технологических операций
изготовления ГИМС масочным методом
1. Вакуумное напыление резистивного материала (МЛТ-3 с R
= 500 Ом / )
через маску, изготовленную по чертежу рис. 2.11 а.
2. Вакуумное напыление подслоя из нихрома Х 20Н 80 (10 ÷ 30 нм) для
нижнего проводящего слоя , через маску, изготовленную по чертежу рис.
2.11 б.
3. Вакуумное напыление токопроводящего нижнего слоя из алюминия А 97
(300 ÷ 500 нм) через маску рис 2.11 б.
4. Вакуумное напыление материала диэлектрика конденсаторов (SiO с ε = 5;
Е
ПР
= 2⋅10
-6
В /см; d = 0,152 мкм) через маску рис. 2.11 в .
5. Вакуумное напыление второго проводящего слоя рис, 2.11 г. из алюминия
А 97 толщиной 500 нм.
Таблица 2.3
2.3. Таблица координат верхней обкладки конденсатора С2
Координаты Обозначения
элемента
№ вершины
X Y
1
94
24
2
94
31
3
104
31
4
104
41
5
114
41
6
114
51
7
146
51
8
146
24
9
139
24
10
139
5
11
124
5
12
124
13
13
134
13
С2
14 134 24
2.3.6. П ослед оват ельност ьосновны х т ехнологи чески х оп ераци й
и згот овлени я ГИМ С м асочны м м ет од ом
1. В ак уумное напы л ение р е зистив ного матер иал а (М Л Т-3 с R = 500 Ом/ )
ч ер е змаск у, изготов л енную по ч ер тежур ис. 2.11 а.
2. В ак уумное напы л ение под сл оя из нихр ома Х 20Н 80 (10 ÷ 30 нм) д л я
нижнего пр ов од ящего сл оя, ч е р е з маск у, изготов л енную по ч ер тежу р ис.
2.11 б. Р и с.1.3. Конст рукци я рези ст ора т и п а “ зм ей ка”.
3. В ак уумное напы л ение ток опр ов од ящего нижнего сл оя изал юминия А 97 С опр отив л ение « змейк и»буд етсостоять изсопр отив л ения пр ямол инейны х
(300 ÷ 500 нм) ч ер е змаск ур ис 2.11 б. и к р ив ол инейны х уч астков р е зистор а.
4. В ак уумное напы л ение матер иал а д иэ л ек тр ик а к онд енсатор ов (SiO с ε = 5; RЗ = R ⋅ nΣ + [m’ (1,57 / ln ( r 1 / r 2 )) ⋅ R ] + 2RK, (1.4)
Е ПР = 2⋅10-6В /см; d = 0,152 мк м) ч ер е змаск ур ис. 2.11 в . гд е nΣ - суммар ное ч исл о к в ад р атов пр ямол инейны х уч астков ;
5. В ак уумное напы л ение в тор ого пр ов од ящего сл оя р ис, 2.11 г. изал юминия m’ - ч исл о изгибов к онфигур ации.
А 97 тол щиной 500 нм. С л ед уетуч иты в ать, ч то в е л ич ина к онтак тного сопр отив л ения в сил ьной
степени зав иситотв ыбор а к онтак тны хматер иал ов , а так же технол огич е ск их
Т аблиц а2.3
усл ов ий их пол уч е ния. П оэ тому в к ажд ой л абор атор ии знач е ния RK
опр ед е л яютэ к спе р име нтал ьно. П р и р асч е те в ы сок оомны х р е зистор ов
2.3. Табли ца коорд и нат верхней обклад ки конд енсат ора С2
обы ч но в ел ич иной RK пр енебр егают.
Д опуск на номинал ьное сопр отив л ение ∆R/R опр ед ел яется относител ьны м
Обознач е ния № в е р шины Коор д инаты
изме не ние м сопр отив л е ния р е зистор а, обусл ов л е нны м технич е ск ими
э л е ме нта
X Y погр е шностями изготов л е ния и д е стабил изир ующими фак тор ами,
1 94 24 св язанны ми с темпер атур ны ми изменениями и стар ениемматер иал ов .
2 94 31 П олна я относитель на я п огр еш ность р езистор а ℵR = ∆R/R опр ед ел яется
3 104 31 суммойв сехпогр ешностейизготов л ения и погр ешностей, в озник ающихпр и
4 104 41
его э к спл уатации
5 114 41
ℵR = ∆R/R = ℵR + ℵКф + ℵRk + ℵRт+ ℵRcт, (1.5)
6 114 51
С2 7 146 51 гд е ℵR - относител ьная погр ешность в оспр оизв ед ения R
8 146 24 ℵR = ( ∆ρ / ρ ) + (∆d / d),
9 139 24 ℵК
Ф
- относител ьная погр ешность KФ ℵКф = ( ∆l / l ) + ( ∆b / b ),
10 139 5 ℵR
K
- погр ешность пер еход ны х к онтак тны х сопр отив л ений
11 124 5 ℵR
Т
- погр е шность, св язанная с те мпе р атур ной не стабил ьностью
12 124 13 сопр отив л ения
13 134 13 ℵR = αR ⋅ ∆T ,
Т
14 134 24
ℵR - погр ешность, св язанная со стар ениемматер иал а.
CT
78 7
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
