Устройства интегральной электроники: Акустоэлектроника. Основы теории, расчета и проектирования. Дмитриев В.Ф. - 47 стр.

UptoLike

Составители: 

47
κ= + κ+ κ
ПАВ B
(, ) () (, ) (, ),
C
Gz G z G z G z
(3.4)
где
()
C
Gz
– электростатическая часть, ответственная за статическую
емкость электродов;
κ
ПАВ
(, )Gz
– соответствует возбуждению
ПАВ;
κ
B
(, )Gz
– соответствует возбуждению объемных волн.
С точки зрения практического использования представляет инте'
рес часть функции Грина, связанная с возбуждением ПАВ. Для эф'
фективной диэлектрической проницаемости рэлеевской волны
εκ
эф
()
R
справедлива аппроксимация, предложенная Ингебригтсеном:
κ−κ
εκε
κ−κ
22
0
эф эф
22
() .
R
S
(3.5)
где
ε=ε κ
эф эф
() при
κ→∞
. Данная аппроксимация позволяет вычис'
лить аналитически интеграл (3.2) и получить выражение для функ'
ции Грина рэлеевской волны в дальней зоне источника:
−κ= κ
ПАВ 0 0 0
(,) exp[ ],
R
Gzz jG jzz
(3.6, a)
где
κ κε κ
ε
2
00 0 ЭМ
эф
1
()/()
2
RSS
G
,
κ=
2
ЭМ
2 V
V
.
Часть функции Грина, описывающая электростатическое поле,
равна
=−
επ
эф
ln
() .
C
z
Gz
(3.6, б)
Введенное понятие эффективной диэлектрической проницаемо!
сти является универсальным инструментом при решении задач, свя!
Рис. 3.2. Эффективная диэлектрическая проницаемость YZAсреза
ниобата лития
1
2
4
·
10 ,
400
200
200
400
0
m
b
эф,
0
с/м
4
3,0
2,7
пФ/М
ε
ω