Биполярные транзисторы. Догадин Н.Б. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГСПУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

10
Контрольные вопросы и задания
1. Нарисуйте вид входной характеристики для схемы с ОЭ.
Объясните происходящие при этом процессы.
2. Нарисуйте вид выходной характеристики для схемы с ОЭ.
Объясните происходящие при этом процессы.
3. Что такое эффект модуляции базы?
1.2.2. Схема с общей базой
Схема включения транзистора с общей базой, характеризующаяся
тем,
что общим для входного и выходного напряжений является вывод
базы, приведена на рис.7,а. Здесь входным так же служит напряжение
эмиттер-база (Е
ЭБ
), которое тоже в эмиттерном переходе компенсирует
объемный заряд, создает условия перемещения носителей из эмиттера в
базу, и под действием которого через выводы эмиттера и базы транзистора
протекает ток. Однако в этой схеме включения через вывод базы кроме
этого тока одновременно в противоположном направлении протекает ток
под действием напряжения коллектор-база (
Е
КБ
), т.е. ток базы является
разностным током, протекающим под действием обоих источников
питания: Е
ЭБ
и Е
КБ
(рис.7,а). Следовательно, входным током –
протекающим только под действием входного напряжения, служит ток
эмиттера (I
Э
), и входной характеристикой транзистора по схеме ОБ
является зависимость I
Э
= f(U
ЭБ
).
Если напряжение Е
КБ
= 0 (на рис.7,а показано штрихами), то
процессы, происходящие в эмиттерном переходе, ничем не отличаются от
процессов в одиночном р-n–переходе при приложении к нему прямого
напряжения, и входная характеристика транзистора совпадает с прямой
ветвью ВАХ перехода. При включении между базой и коллектором
транзистора источника питания Е
КБ
, смещающего коллекторный переход в
обратном направлении, по цепи коллектор–база начинает протекать
небольшой обратный ток коллектора I
КБ0
, который на сопротивлении r
Б
Рис.7.
б
I
Э
I
ЭН
Е
ЭБ
Е
КБ
+
–
+
–
r
Б
i
Э
i
К
i
Б
+
–
U
ЭБ
U
КБ
≠0
U
КБ
=0
а 
                    Контрольные вопросы и задания

     1. Нарисуйте вид входной характеристики для схемы с ОЭ.
Объясните происходящие при этом процессы.
     2. Нарисуйте вид выходной характеристики для схемы с ОЭ.
Объясните происходящие при этом процессы.
     3. Что такое эффект модуляции базы?

                           1.2.2. Схема с общей базой

      Схема включения транзистора с общей базой, характеризующаяся
тем, что общим для входного и выходного напряжений является вывод
базы, приведена на рис.7,а. Здесь входным так же служит напряжение
эмиттер-база (ЕЭБ), которое тоже в эмиттерном переходе компенсирует

                                                          IЭ
                                                                   UКБ≠0
            iЭ                  iК
                  +        iБ                                              UКБ=0
                  rБ
      ЕЭБ                            ЕКБ
                  –
        – +         –                               IЭН
                                 +
                                                                            UЭБ
                       а                   Рис.7.              б

объемный заряд, создает условия перемещения носителей из эмиттера в
базу, и под действием которого через выводы эмиттера и базы транзистора
протекает ток. Однако в этой схеме включения через вывод базы кроме
этого тока одновременно в противоположном направлении протекает ток
под действием напряжения коллектор-база (ЕКБ), т.е. ток базы является
разностным током, протекающим под действием обоих источников
питания: ЕЭБ и ЕКБ (рис.7,а). Следовательно, входным током –
протекающим только под действием входного напряжения, служит ток
эмиттера (IЭ), и входной характеристикой транзистора по схеме ОБ
является зависимость IЭ = f(UЭБ).
      Если напряжение ЕКБ = 0 (на рис.7,а показано штрихами), то
процессы, происходящие в эмиттерном переходе, ничем не отличаются от
процессов в одиночном р-n–переходе при приложении к нему прямого
напряжения, и входная характеристика транзистора совпадает с прямой
ветвью ВАХ перехода. При включении между базой и коллектором
транзистора источника питания ЕКБ, смещающего коллекторный переход в
обратном направлении, по цепи коллектор–база начинает протекать
небольшой обратный ток коллектора IКБ0, который на сопротивлении rБ

10

Страницы