Биполярные транзисторы. Догадин Н.Б. - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГСПУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

8
Контрольные вопросы и задания
1. Какие процессы происходят в биполярных транзисторах? Почему
для их работы в усилительном режиме необходимо, чтобы эмиттерный
переход был смещен в прямом, а коллекторный – в обратном направлении?
2. Чем различаются между собой p–n–p и n–p–n-транзисторы?
3. Что называется схемами включения транзисторов с ОБ, ОЭ и ОК?
1.2.1. Схема с общим эмиттером
Включение транзистора по схеме с общим эмиттером показано на
рис.2.6,.а. Основными, наиболее часто используемыми, характеристиками
транзистора является входная и выходная характеристики. Входной
характеристикой транзистора называется зависимость входного тока
от входного напряжения. В данном случае входным служит напряжение,
приложенное между эмиттером и базой транзистора (источник Е
ЭБ
),
которое в эмиттерном переходе компенсирует объемный заряд, и создает
условия перемещения носителей из эмиттера в базу. Под действием Е
ЭБ
ток протекает через выводы базы и эмиттера транзистора (рис.6,а), при
этом через вывод эмиттера одновременно (под действием напряжения
эмиттер-коллектор Е
ЭК
) течет еще и ток коллектора I
К
, т.е. ток эмиттера
является суммарным током, обусловленным действием обоих источников
питания. Следовательно, входным током – протекающим под действием
только входного напряжения, является ток базы (I
Б
), и входной
характеристикой транзистора по схеме с ОЭ будет зависимость I
Б
= f(U
ЭБ
).
Если напряжение коллектор-эмиттер равно нулю, то процессы в
эмиттерном переходе, ничем не отличаются от процессов, происходящих в
одиночном р-n–переходе, рассмотренном в 1, и зависимость тока базы от
напряжения эмиттер-база будет иметь тот же вид, что и ВАХ перехода
(рис.6,б). При подаче между коллектором и эмиттером транзистора
напряжения процессы несколько меняются. Рассмотрим их. Предположим,
что напряжение Е
ЭБ
равно нулю (начальный участок входной
характеристики). В этом случае через коллекторный переход, который под
Рис.6.
б а
Е
ЭБ
Е
ЭК
–
+
–
+
–
I
КБ0
I
К
I
Б
в
U
ЭБ
I
Б
I
КБ0
U
КЭ
≠0
U
КЭ
=0
0
I
К
U
КЭ
U
БЭ2
> U
БЭ1
U
БЭ3
> U
БЭ2
U
БЭ1
                          Контрольные вопросы и задания

     1. Какие процессы происходят в биполярных транзисторах? Почему
для их работы в усилительном режиме необходимо, чтобы эмиттерный
переход был смещен в прямом, а коллекторный – в обратном направлении?
     2. Чем различаются между собой p–n–p и n–p–n-транзисторы?
     3. Что называется схемами включения транзисторов с ОБ, ОЭ и ОК?

                              1.2.1. Схема с общим эмиттером

      Включение транзистора по схеме с общим эмиттером показано на
рис.2.6,.а. Основными, наиболее часто используемыми, характеристиками
транзистора является входная и выходная характеристики. Входной
характеристикой транзистора называется зависимость входного тока
от входного напряжения. В данном случае входным служит напряжение,
приложенное между эмиттером и базой транзистора (источник ЕЭБ),
которое в эмиттерном переходе компенсирует объемный заряд, и создает
условия перемещения носителей из эмиттера в базу. Под действием ЕЭБ
ток протекает через выводы базы и эмиттера транзистора (рис.6,а), при
этом через вывод эмиттера одновременно (под действием напряжения

                                 IБ                     IК
                                                               UБЭ3 > UБЭ2
      IКБ0                               UКЭ=0                    UБЭ2 > UБЭ1
                   +
          –
       +           –
                  IК
                        ЕЭК
                                               UКЭ≠0
ЕЭБ    – IБ                                                              UБЭ1
                          0
                       IКБ0                       UЭБ                           UКЭ
              а                          б                           в
                                             Рис.6.
эмиттер-коллектор ЕЭК) течет еще и ток коллектора IК, т.е. ток эмиттера
является суммарным током, обусловленным действием обоих источников
питания. Следовательно, входным током – протекающим под действием
только входного напряжения, является ток базы (IБ), и входной
характеристикой транзистора по схеме с ОЭ будет зависимость IБ = f(UЭБ).
      Если напряжение коллектор-эмиттер равно нулю, то процессы в
эмиттерном переходе, ничем не отличаются от процессов, происходящих в
одиночном р-n–переходе, рассмотренном в 1, и зависимость тока базы от
напряжения эмиттер-база будет иметь тот же вид, что и ВАХ перехода
(рис.6,б). При подаче между коллектором и эмиттером транзистора
напряжения процессы несколько меняются. Рассмотрим их. Предположим,
что напряжение ЕЭБ равно нулю (начальный участок входной
характеристики). В этом случае через коллекторный переход, который под
8

Страницы