Биполярные транзисторы. Догадин Н.Б. - 7 стр.

они переходили в коллектор необходимо, чтобы поле между коллектором
и базой транзистора было для них ускоряющим. В данном случае для этого
нужно к коллектору приложить положительный полюс источника питания
ЕБК, а к базе – отрицательный. Создаваемое при этом поле занимает только
часть пространства базы, и если электроны обладают энергией,
достаточной для достижения этого пространства, то они переносятся в
коллектор, образуя ток коллектора iК; если нет – то взаимодействуют
(компенсируются, рекомбинируют) с носителями, поставляемыми
источником ЕЭБ, создавая ток базы iБ. В любой момент времени ток
эмиттера iЭ = iБ + iК.
       Типы транзисторов различаются по порядку чередования в них
типов используемых полупроводников: на рис.4,а изображен транзистор n–
p–n-типа, на рис.4,б – p–n–р. В графических условных обозначениях они
отличаются направлением стрелки, которой обозначается эмиттер
транзистора. Стрелка ставится от области полупроводника р-типа к
полупроводнику п-типа.
       Приведенное выше описание процессов характерно для обоих типов
тразисторов, поэтому общим основным правилом работы транзистора
является необходимость смещения его эмиттерного перехода в прямом,
а коллекторного – в обратном направлениях. В этом случае создаются
условия переноса носителей из эмиттера в базу, а затем в коллектор.
       Для повышения эффективности переноса носителей сквозь базу ее
делают тонкой, а площадь поверхности ее соприкосновения с эмиттером и
коллектором – большой (рис.5). Такая конструктивная особенность
построения транзистора вызывает неодинаковость сопротивления базы в
разных направлениях: вдоль протекания коллекторного
                                                              Э        К
тока оно минимально, а поперек (в направлении
подключающего вывода) значительно больше. В некоторых
случаях это сильно влияет на вид входных и выходных             Б
характеристик транзистора, поэтому на его эквивалентной
схеме в вывод базы включают дополнительный резистор rБ          Рис.5.
(на рис.4,а он показан штрихами), считая, что оставшаяся
область базы имеет одинаковое сопротивление в любом направлении.
Влияние rБ сказывается, когда к выводу базы подключены источники и
входного и выходного напряжений. Такая схема включения транзистора
называется «с общей базой» (ОБ). Кроме нее, транзисторы могут быть
включены по схемам с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК).
Все они определяются тем, какой из выводов транзистора является общим
для входного и выходного напряжений. Это может относиться как к
напряжениям питания транзистора, так и усиливаемым напряжениям,
однако здесь рассматриваются только первые из них. В зависимости от
схемы включения характеристики транзисторов существенно различаются,
поэтому рассмотрим их отдельно для наиболее часто встречающихся на
практике случаев ОБ и ОЭ.

                                                                       7