Биполярные транзисторы. Догадин Н.Б. - 9 стр.

действием ЕКЭ смещен в обратном направлении, протекает небольшой
обратный ток коллектора IКБ0, который течет через вывод базы и поэтому
является входным. Он течет навстречу основному току базы (рис.6,а), и это
учтено расположением IКБ0 на характеристике транзистора (рис.6,б) в
отрицательной полуплоскости. При подаче входного напряжения (ЕЭБ)
начинает протекать основной ток базы IБ, который сначала частично, а при
некотором напряжении – полностью компенсирует IКБ0. В дальнейшем, при
увеличении входного напряжения, входной ток продолжает увеличиваться
(рис.6,б). Очень часто в справочниках отрицательный участок тока IБ не
приводится, и она начинается с точки компенсации токов.
      Выходной       характеристикой       транзистора       называется
зависимость выходного тока (IК) от выходного напряжения, которым в
данном случае служит UКЭ.(рис.6,в). Если ЕКЭ = 0, то для электронов,
пришедших из эмиттера в базу, нет ускоряющего поля, которое бы
переносило их в коллектор. Действительно, объемный заряд,
существующий на границе перехода база-коллектор, оказывается частично
скомпенсированным напряжением на эмиттерном переходе, и образуемое
им поле недостаточно для переноса электронов в коллектор. При подаче и
увеличении напряжения эмиттер-коллектор увеличивается напряжение на
коллекторном переходе и ускоряющее поле, которое начинает переносить
электроны из базы в коллектор. Причем, чем больше поле, тем больше
носителей переносится в коллектор. При фиксированном напряжении
эмиттер-база число носителей, переносимых в базу в единицу времени,
тоже фиксировано, и им ограничивается максимальное количество
электронов, которое может быть перенесено в коллектор. При переносе
всех носителей наступает режим насыщения, т.е. все электроны,
поступившие из эмиттера в базу, оказались перенесенными в коллектор, и
на выходной характеристике должен появиться горизонтальный участок
(показанный на рис.6,в штрихами). Однако реальная выходная
характеристика транзистора в этой области идет с небольшим подъемом.
Он обусловлен явлением, называемым модуляцией базы. Дело в том, что с
увеличением напряжения эмиттер-коллектор объемный заряд база–
коллекторного перехода распространяется в глубь базы (к эмиттерному
переходу), и создаваемое им поле начинает захватывать и переносить
электроны из тех участков базы, из которых раньше они не переносились,
а компенсировались (рекомбинировались) носителями, поставляемыми
ЕЭБ. В этом случае ток базы транзистора уменьшается, ток коллектора –
увеличивается, и на выходной характеристике появляется участок
подъема.
      Если напряжение эмиттер-база увеличить, то число носителей,
переносимых в базу в единицу времени, увеличится, и все те же процессы
будут происходить при большем токе коллектора (рис.6,в).



                                                                        9