Биполярные транзисторы. Догадин Н.Б. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГСПУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

6
ограничен, то в переходе начинает выделяться значительная мощность,
которая разогревает его, и электрический пробой переходит в тепловой,
необратимый, при котором р-n–переход сгорает.
Контрольные вопросы и задания
1. Расскажите о процессах, происходящих при соединении между
собой полупроводников n и p-типов.
2. Из-за чего возникают объемные заряды?
3. Как изменятся
процессы при приложении к p–n-переходу прямого
напряжения? Каков вид получаемой при этом вольт-амперной
характеристики?
4. Расскажите о процессах, происходящих на границе p–n-перехода
при приложении к нему обратного напряжения. Каков вид получаемой при
этом ВАХ?
1.2. Биполярный транзистор
Полупроводниковые приборы, состоящие из двух последовательно
включенных p–n-переходов, называются
биполярными транзисторами.
В них область, предназначенная для создания носителей заряда,
называется эмиттером (Э), для их сбора – коллектором (К), а регули-
рующая число передаваемых носителей – базой (Б). Электронно-дырочный
переход между эмиттером и базой называется эмиттерным, между
коллектором и базой – коллекторным. Для работы транзистора в
усилительном режиме необходимо, чтобы носители
из области эмиттера
были перенесены в область коллектора. Но для этого их сначала нужно
перенести в область базы, а, следовательно, эмиттерный переход должен
быть смещен в прямом направлении. Это достигается включением между
выводами эмиттера и базы транзистора соответствующего источника
питания Е
ЭБ
(рис.4,а). Тогда объемный заряд эмиттерного перехода будет
скомпенсирован, и носители (на рис.4,а это электроны) из области
эмиттера начнут переходить в область базы. Для того, чтобы в дальнейшем
Рис.4.
Е
ЭБ
Е
БК
n
р
+
+
+
–
–
–
+
–
+
+
+
–
–
–
n
+
Э К
Б
r
Б
i
Э
i
К
i
Б
i
Э
=i
Б
+i
К
Э
Б
К
р
n
+
+
+
–
–
–
–
+
+
+
+
–
–
–
р
–
+
Э К
Б
б
Е
ЭБ
Е
БК
Э
Б
К
а
–
ограничен, то в переходе начинает выделяться значительная мощность,
которая разогревает его, и электрический пробой переходит в тепловой,
необратимый, при котором р-n–переход сгорает.

                                Контрольные вопросы и задания

     1. Расскажите о процессах, происходящих при соединении между
собой полупроводников n и p-типов.
     2. Из-за чего возникают объемные заряды?
     3. Как изменятся процессы при приложении к p–n-переходу прямого
напряжения? Каков вид получаемой при этом вольт-амперной
характеристики?
     4. Расскажите о процессах, происходящих на границе p–n-перехода
при приложении к нему обратного напряжения. Каков вид получаемой при
этом ВАХ?

                                    1.2. Биполярный транзистор

     Полупроводниковые приборы, состоящие из двух последовательно
включенных p–n-переходов, называются биполярными транзисторами.
В них область, предназначенная для создания носителей заряда,
называется эмиттером (Э), для их сбора – коллектором (К), а регули-
рующая число передаваемых носителей – базой (Б). Электронно-дырочный
переход между эмиттером и базой называется эмиттерным, между
коллектором и базой – коллекторным. Для работы транзистора в
усилительном режиме необходимо, чтобы носители из области эмиттера
были перенесены в область коллектора. Но для этого их сначала нужно
перенести в область базы, а, следовательно, эмиттерный переход должен
быть смещен в прямом направлении. Это достигается включением между
выводами эмиттера и базы транзистора соответствующего источника
питания ЕЭБ (рис.4,а). Тогда объемный заряд эмиттерного перехода будет
скомпенсирован, и носители (на рис.4,а это электроны) из области
эмиттера начнут переходить в область базы. Для того, чтобы в дальнейшем
                                                    К                                                  К
                                        Б                                                    Б
                  iЭ=iБ+iК
                                                   Э                                                   Э
    Э    n    +   –   р    –        +   n     К            Э    р    –   +   n   +       –   р     К
         iЭ   +   –        –        + iК                             –   +       +       –
                      iБ
              +   –        –        +                                –   +       +       –
                  Б                                                              Б
                           rБ
         – +                    –       +                       + –                  +       –
        ЕЭБ           а                 ЕБК                    ЕЭБ           б               ЕБК
                                                  Рис.4.
6

Страницы