Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 141 стр.

      Арсенид галлия. Фториды галлия и мышьяка являются
нелетучими соединениями, поэтому травление проводят в плазме
хлорсодержащих газов Cl2, CCl2, BCl3, HCl, CCl2F2, Br2.
Взаимодействие GaAs с молекулярным хлором в условиях газового
травления отсутствует, основными химически активными частицами
при травлении GaAs в плазме Cl2 являются атомы хлора. Влияние
внешних параметров разряда (вкладываемая мощность, давление и
расход газа) на скорость взаимодействия при постоянной температуре
образца определяется изменением плотности потока атомов Cl на
поверхность. При температуре      370 – 380 K происходит смена
механизма взаимодействия от десорбции продуктов взаимодействия к
химической реакции на поверхности, лимитируемой, в свою очередь,
адсорбционно – десорбционными процессами. Основными проблемами
при травлении арсенида галлия в хлорсодержащей плазме являются
высокие скорости взаимодействия, переосаждение продуктов травления
(и, как следствие, высокая шероховатость поверхности после
травления), а также диспропорционирование химического состава
поверхности из-за различной летучести хлоридов галлия и мышьяка.
Альтернативой хлорсодержащим газам при травлении GaAs является
водород. Скорость травления GaAs в плазме H2 значительно ниже, чем
в плазме хлора, при этом наблюдается полирующее травление. Поэтому
наиболее перспективными в настоящее время считаются смеси
хлорсодержащих водородов, в которых регулирование состава смеси
позволяет проводить процесс с приемлемыми скоростями и качеством
(рис. 3.6.5).




а)                                   б)
Рис. 3.6.5. Влияние добавок водорода на морфологию поверхности
GaAs после плазменного травления (500 Вт, 1.5 Па): а - CCl4; б - CCl4:H2
= 1:1.5 (по данным работы S. Semura, H.Saitoh Hydrogen mixing effect on
reactive ion etching of GaAs in chlorine-containing gases // J. Vac. Sci.
Technol. A(2), 1984, p. 474)



                                  141