Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 260 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

260
3.7. Заключение 146
3.8. Контрольные вопросы 147
Глава 4. Процессы и технологии плазменной обработки неорга-
нических материалов
148
4.1. Место и роль плазмохимических и ионно-плазменных процес-
сов в технологии производства интегральных микросхем
148
4.2. Технологические требования и параметры, характеризующие
процесс травления
150
4.3. Рабочие газы для плазменного травления 151
4.4. Плазменное травление (ПТ) 154
4.5. Радикальное травление (РТ) 164
4.6. Ионно-плазменное травление (ИПТ) 171
4.7. Реактивное ионно-плазменное травление (РИПТ) 178
4.8. Ионно-лучевое травление (ИЛТ) 186
4.9. Реактивное ионно-лучевое травление (РИЛТ) 195
4.10. Радиационно-стимулированное травление (РСТ) 200
4.11. Заключение 209
4.12. Контрольные вопросы 210
Глава 5. Плазменная обработка полимерных материалов
215
5.1. Применение полимеров в технологии микроэлектроники и тре-
бования к ним
216
5.2. Зависимости скоростей травления от параметров плазмы и типа
полимера
222
5.3. Плазменная модификация поверхности полимерных материалов
227
5.4. Прикладные аспекты плазменной обработки полиэтилена (ПЭ),
полипропилена (ПП) и материалов на их основе
229
5.5. Заключение 234
5.6. Контрольные вопросы 235
Глава 6. Методы контроля параметров плазмы, плазмохимиче-
ских и ионно-плазменных процессов
236
6.1. Общие положения 236
6.2. Метод зондов Лангмюра 238
6.3. Масс-спектрометрия 242
6.4. Оптико-спектральные методы 245
6.4.1. Абсорбционная спектроскопия 246
6.4.2. Эмиссионная спектроскопия 249
6.5. Контроль по изменению электрофизических параметров плазмы
255
6.6. Заключение 257
6.7. Контрольные вопросы 257
Список литературы
258
Содержание
259 
3.7. Заключение                                                    146
3.8. Контрольные вопросы                                           147
Глава 4. Процессы и технологии плазменной обработки неорга-        148
нических материалов
4.1. Место и роль плазмохимических и ионно-плазменных процес-      148
сов в технологии производства интегральных микросхем
4.2. Технологические требования и параметры, характеризующие       150
процесс травления
4.3. Рабочие газы для плазменного травления                        151
4.4. Плазменное травление (ПТ)                                     154
4.5. Радикальное травление (РТ)                                    164
4.6. Ионно-плазменное травление (ИПТ)                              171
4.7. Реактивное ионно-плазменное травление (РИПТ)                  178
4.8. Ионно-лучевое травление (ИЛТ)                                 186
4.9. Реактивное ионно-лучевое травление (РИЛТ)                     195
4.10. Радиационно-стимулированное травление (РСТ)                  200
4.11. Заключение                                                   209
4.12. Контрольные вопросы                                          210
Глава 5. Плазменная обработка полимерных материалов                215
5.1. Применение полимеров в технологии микроэлектроники и тре-     216
бования к ним
5.2. Зависимости скоростей травления от параметров плазмы и типа   222
полимера
5.3. Плазменная модификация поверхности полимерных материалов      227
5.4. Прикладные аспекты плазменной обработки полиэтилена (ПЭ),     229
полипропилена (ПП) и материалов на их основе
5.5. Заключение                                                    234
5.6. Контрольные вопросы                                           235
Глава 6. Методы контроля параметров плазмы, плазмохимиче-          236
ских и ионно-плазменных процессов
6.1. Общие положения                                               236
6.2. Метод зондов Лангмюра                                         238
6.3. Масс-спектрометрия                                            242
6.4. Оптико-спектральные методы                                    245
6.4.1. Абсорбционная спектроскопия                                 246
6.4.2. Эмиссионная спектроскопия                                   249
6.5. Контроль по изменению электрофизических параметров плазмы     255
6.6. Заключение                                                    257
6.7. Контрольные вопросы                                           257
Список литературы                                                  258
Содержание                                                         259


                                260

Страницы