Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 259 стр.

UptoLike

259
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие
3
Введение
4
Глава 1. Физические и химические свойства плазмы
6
1.1. Плазма: основные понятия и свойства. Место плазменных процессов
в технологии микроэлектроники
6
1.2. Физические свойства плазмы: квазинейтральность, дебаевский ради-
ус, плазменная частота
9
1.3. Процессы под действием электронного удара. Энергетическое рас-
пределение электронов
12
1.4. Уравнение непрерывности. Кинетика и концентрации активных час-
тиц в плазме
20
1.5. Дрейфовое движение электронов и ионов в плазме 35
1.6. Диффузия заряженных частиц. Плавающий потенциал 37
1.7. Пространственные распределения концентраций частиц в плазме.
Баланс вкладываемой мощности и параметры плазмы
47
1.9. Заключение 63
1.9. Контрольные вопросы 64
Глава 2. Основные виды электрического разряда в газе и их приме-
нение в технологии
65
2.1. Несамостоятельный газовый разряд. Условия развития самостоя-
тельного разряда
66
2.2. Тлеющий разряд постоянного тока. Особенности катодных областей
тлеющего разряда
73
2.3. Периодические разряды. Плазма ВЧ и СВЧ разрядов 80
2.4. Плазма электрон-циклотронного резонанса (ЭЦР плазма) 93
2.5. Дуговой разряд 99
2.6. Искровой разряд 102
2.7. Коронный разряд 104
2.8. Заключение 105
2.9. Контрольные вопросы 106
Глава 3. Физико-химические основы процессов взаимодействия ак-
тивных частиц плазмы с поверхностью
108
3.1. Классификация процессов взаимодействия активных частиц плазмы
с поверхностью
108
3.2. Физика процессов распыления материалов при ионной бомбардиров-
ке
110
3.3. Гетерогенные химические реакции в условиях ННГП:
основные понятия и подходы к анализу
114
3.4. Кинетика взаимодействия ХАЧ с поверхностью 119
3.5. Взаимосвязь объемных параметров плазмы и кинетики процес-
сов на поверхности
127
3.6. Закономерности и особенности взаимодействия плазмы гало-
генсодержащих газов с металлами и полупроводниками
135
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие                                                             3
Введение                                                                4
Глава 1. Физические и химические свойства плазмы                        6
1.1. Плазма: основные понятия и свойства. Место плазменных процессов    6
в технологии микроэлектроники
1.2. Физические свойства плазмы: квазинейтральность, дебаевский ради-   9
ус, плазменная частота
1.3. Процессы под действием электронного удара. Энергетическое рас-     12
пределение электронов
1.4. Уравнение непрерывности. Кинетика и концентрации активных час-     20
тиц в плазме
1.5. Дрейфовое движение электронов и ионов в плазме                     35
1.6. Диффузия заряженных частиц. Плавающий потенциал                    37
1.7. Пространственные распределения концентраций частиц в плазме.       47
Баланс вкладываемой мощности и параметры плазмы
1.9. Заключение                                                         63
1.9. Контрольные вопросы                                                64
Глава 2. Основные виды электрического разряда в газе и их приме-        65
нение в технологии
2.1. Несамостоятельный газовый разряд. Условия развития самостоя-       66
тельного разряда
2.2. Тлеющий разряд постоянного тока. Особенности катодных областей     73
тлеющего разряда
2.3. Периодические разряды. Плазма ВЧ и СВЧ разрядов                    80
2.4. Плазма электрон-циклотронного резонанса (ЭЦР – плазма)             93
2.5. Дуговой разряд                                                     99
2.6. Искровой разряд                                                    102
2.7. Коронный разряд                                                    104
2.8. Заключение                                                         105
2.9. Контрольные вопросы                                                106
Глава 3. Физико-химические основы процессов взаимодействия ак-          108
тивных частиц плазмы с поверхностью
3.1. Классификация процессов взаимодействия активных частиц плазмы      108
с поверхностью
3.2. Физика процессов распыления материалов при ионной бомбардиров-     110
ке
3.3. Гетерогенные химические реакции в условиях ННГП:                   114
основные понятия и подходы к анализу
3.4. Кинетика взаимодействия ХАЧ с поверхностью                         119
3.5. Взаимосвязь объемных параметров плазмы и кинетики процес- 127
сов на поверхности
3.6. Закономерности и особенности взаимодействия плазмы гало-  135
генсодержащих газов с металлами и полупроводниками
                                  259