Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 258 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

258
зондов Лангмюра?
5. В чем заключается идея масс-спектрального контроля плазменных
процессов?
6. Назовите основные недостатки и ограничения метода абсорбционной
спектроскопии.
7. Что такое актинометрия?
8. В чем заключается физический принцип реализации методов
контроля по изменению электрофизических параметров плазмы?
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Плазменная технология в производстве СБИС (Под ред. Айнспрука
Н., Брауна Д.) М.: Мир, 1987. 420 с.
2. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной
плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат,
1987. 264 с.
3. Киреев В. Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и
ионно-химическое травление микроструктур. М.: Радио и связь,
1983. 128 с.
4. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка
материалов. М: Радио и связь, 1986. 232 с
5. Lieberman M. A., Lichtenberg A. J. Principles of plasma discharges and
materials processing, John Wiley & Sons Inc., New York, 1994. 450 p
6. Sugawara M. Plasma etching. Fundamentals and applications. Oxford
University Press Inc, New York, 1992. 304 p
7. Wolf S., Tauber R. N. Silicon Processing for the VLSI Era. Volume 1.
Prosess Technology, Lattice Press, New York, 2000. 890 p.
8. Rooth J.R. Industrial plasma engineering, IOP Publishing LTD,
Philadelphia, 1995. 730 p
9. Словецкий Д.И. Гетерогенные реакции в неравновесной
галогенсодержащей плазме. В кн. «Химия плазмы». М.:
Энергоатомиздат, 1989, вып.15, с.208.
10. Орликовский А. А., Словецкий Д. И. Проблемы плазмохимического
травления в микроэлектронике // Микроэлектроника, 1987, т.16,
№6, с. 497
11. Данилин Б.С, Киреев В.Ю., Кузнецов В.И. Рабочие газы и их
влияние на параметры процесса травления // Электр. техн., 1982,
сер.6, N4, с. 3-10
12. Winters H. F., Coburn J. W., Chuang T. G. Surface processes in plasma
assisted etching environments // J. Vac. Sci. Technol. B 1, 1983, p.469 
     зондов Лангмюра?
5.   В чем заключается идея масс-спектрального контроля плазменных
     процессов?
6.   Назовите основные недостатки и ограничения метода абсорбционной
     спектроскопии.
7.   Что такое актинометрия?
8.   В чем заключается физический принцип реализации методов
     контроля по изменению электрофизических параметров плазмы?

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.  Плазменная технология в производстве СБИС (Под ред. Айнспрука
    Н., Брауна Д.) М.: Мир, 1987. 420 с.
2. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной
    плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат,
    1987. 264 с.
3. Киреев В. Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и
    ионно-химическое травление микроструктур. М.: Радио и связь,
    1983. 128 с.
4. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка
    материалов. М: Радио и связь, 1986. 232 с
5. Lieberman M. A., Lichtenberg A. J. Principles of plasma discharges and
    materials processing, John Wiley & Sons Inc., New York, 1994. 450 p
6. Sugawara M. Plasma etching. Fundamentals and applications. Oxford
    University Press Inc, New York, 1992. 304 p
7. Wolf S., Tauber R. N. Silicon Processing for the VLSI Era. Volume 1.
    Prosess Technology, Lattice Press, New York, 2000. 890 p.
8. Rooth J.R. Industrial plasma engineering, IOP Publishing LTD,
    Philadelphia, 1995. 730 p
9. Словецкий Д.И. Гетерогенные реакции в неравновесной
    галогенсодержащей плазме. В кн. «Химия плазмы». М.:
    Энергоатомиздат, 1989, вып.15, с.208.
10. Орликовский А. А., Словецкий Д. И. Проблемы плазмохимического
    травления в микроэлектронике // Микроэлектроника, 1987, т.16,
    №6, с. 497
11. Данилин Б.С, Киреев В.Ю., Кузнецов В.И. Рабочие газы и их
    влияние на параметры процесса травления // Электр. техн., 1982,
    сер.6, N4, с. 3-10
12. Winters H. F., Coburn J. W., Chuang T. G. Surface processes in plasma
    assisted etching environments // J. Vac. Sci. Technol. B 1, 1983, p.469


                                   258

Страницы