Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 140 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

140
процессов снижения потока химически активных частиц на поверхность
и увеличения доли чистой поверхности, в том числе - за счет активации
десорбции продуктов при ионной бомбардировке, вызванной ростом
плотности потока ионов на поверхность. Высота максимума и его
положение на оси абсцисс определяются параметрами
0
ms и
jd
Y
,
,
определяющими эффективность заполнения и очистки активных
центров продуктами взаимодействия.
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
0.0
0.4
0.8
1.2
Γ
Cl
, 10
20
см
-2
сек
-1
δ, отн. ед.
1
2
3
4
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3
ms
0
Γ
Cl
(1-Θ), 10
17
см
-2
сек
-1
δ
Ar
, отн. ед.
1
2
Рис. 3.6.3. Расчетная зависимость
плотности потока атомов хлора на
поверхность от состава исходной
смеси: 1 – Cl
2
/Ar; 2 – Cl
2
/N
2
;
3 – Cl
2
/O
2
; 4 – Cl
2
/H
2
Рис. 3.6.4. Прогнозируемая со-
отношением (3.36) зависимость
скорости взаимодействия от
начального состава смеси Cl
2
/Ar
(100 Па, 6.5×10
-3
А/см
2
):
1 -
0
ms = 5×10
-2
; 2 -
0
ms = 1×10
-2
;
3 -
0
ms = 5×10
-3
В заключении раздела рассмотрим более подробно кинетические
закономерности и особенности плазменного травления некоторых
материалов, наиболее распространенных в технологии изделий
электронной техники. Наибольший интерес здесь представляют: 1)
полупроводники Si и GaAs, являющиеся материалом подложек и
основой создания активных элементов ИМС; 2) диэлектрики SiO
2
и
Si
3
N
4
, используемые для изоляции элементов ИМС, пассивации
структур, а также в качестве подзатворных диэлектриков при
изготовлении МДП-транзисторов; 3) металлы (Cu, Al, Сr, W, Mo),
тонкие пленки которых формируют контакты и межэлементные
соединения. 
процессов снижения потока химически активных частиц на поверхность
и увеличения доли чистой поверхности, в том числе - за счет активации
десорбции продуктов при ионной бомбардировке, вызванной ростом
плотности потока ионов на поверхность. Высота максимума и его
положение на оси абсцисс определяются параметрами ms0 и Yd , j ,
определяющими эффективность заполнения и очистки активных
центров продуктами взаимодействия.
            20     -2   -1
      ΓCl, 10 см сек                                                         17   -2
                                                             ms0ΓCl(1-Θ), 10 см сек
                                                             3,0
                                                                                          -1

1.2
                                                             2,5

0.8                                                          2,0

                                                             1,5
             1
0.4                                                          1,0
             2
                                                                         1
             3
                                                             0,5         2
             4                                                           3
0.0                                                          0,0
      0.0        0.2     0.4         0.6   0.8   1.0               0,0   0,2           0,4      0,6    0,8   1,0
                             δ, отн. ед.                                               δAr, отн. ед.



Рис. 3.6.3. Расчетная зависимость                        Рис. 3.6.4. Прогнозируемая со-
плотности потока атомов хлора на                         отношением (3.36) зависимость
поверхность от состава исходной                          скорости     взаимодействия      от
смеси: 1 – Cl2/Ar; 2 – Cl2/N2;                           начального состава смеси Cl2/Ar
3 – Cl2/O2; 4 – Cl2/H2                                   (100 Па,            6.5×10-3 А/см2):
                                                         1 - ms0 = 5×10-2; 2 - ms0 = 1×10-2;
                                                         3 - ms0 = 5×10-3

      В заключении раздела рассмотрим более подробно кинетические
закономерности и особенности плазменного травления некоторых
материалов, наиболее распространенных в технологии изделий
электронной техники. Наибольший интерес здесь представляют: 1)
полупроводники Si и GaAs, являющиеся материалом подложек и
основой создания активных элементов ИМС; 2) диэлектрики SiO2 и
Si3N4, используемые для изоляции элементов ИМС, пассивации
структур, а также в качестве подзатворных диэлектриков при
изготовлении МДП-транзисторов; 3) металлы (Cu, Al, Сr, W, Mo),
тонкие пленки которых формируют контакты и межэлементные
соединения.


                                                       140

Страницы