Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 175 стр.

Рис. 4.6.2. Зависимости скорости ИПТ от различных параметров: а - от
плотности мощности в диодной ВЧ-системе при давлении аргона 0.7 Па
(1 – Si; 2 – SiO2; 3 – Si3N4; 4 – фоторезист); б - от плотности мощности
в диодной системе постоянного тока при давлении аргона 7 Па (1 –
Au; 2 – фоторезист; 3 – Al); в - от остаточного давления кислорода (1
- Al объемный; 2 - Al тонкопленочный; 3 - Si; 4 – SiO2 ; 5 - Cr; 6 -
Mn); г - от давления рабочего газа в диодной ВЧ системе при
травлении углерода (1 - O2; 2 - Ar)

     Вторая проблема связана с низкой термостойкостью органических
масок, которая ограничивает плотность мощности на мишени (катоде) и
требует эффективного охлаждения подвергаемых травлению образцов.
Органические маски не выдерживают длительного воздействия
температур выше 423 - 473 К. Существует критическая плотность
мощности на мишень (катод), которую выдерживают стандартные фото-
и электронорезисты при трех основных способах охлаждения образцов
на мишени (катоде): 1) 0.05 0.1 Вт/см2 для образцов, помещаемых на
неохлаждаемую мишень, 2) 0.3 - 0.5 Вт/см2 для образцов, находящихся
на водоохлаждаемой мишени, и 3) 0.8 - 1 Вт/см2 для образцов,
прижимаемых к водоохлаждаемой мишени механически или с помощью
теплопроводных паст. Для органических масок из полиимида
критическое значение приблизительно в 1.8 - 2 раза выше, чем для
фоторезистов.     В    связи    с    необходимостью      увеличения

                                  175