Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 178 стр.

образованием вакансий, и ионизационные дефекты, обусловленные
ионизацией атомов решетки. К числу частиц, способных вызывать
радиационные повреждения в обрабатываемых материалах при ионно-
плазменном травлении, относятся ионы, электроны, нейтральные атомы
и фотоны. Внедрение заряженных частиц в твердое тело вызывает
ионизацию атомов решетки и возбуждение их электронных оболочек. В
металлах с их высокой электропроводностью ионизация, вызванная об-
лучением заряженными частицами, очень быстро (за время 10-16-10-19с)
нейтрализуется электронами проводимости, и этот процесс не приводит
к каким-либо заметным изменениям электрофизических свойств
металлических пленок. В полупроводниках под действием
бомбардировки энергетическими частицами и излучения резко
возрастает электропроводность. Однако этот эффект тоже не является
длительным и устойчивым, и после прекращения облучения
электропроводность возвращается к начальному уровню. Только в
диэлектриках наблюдаются глубокие и устойчивые изменения
электрофизических и химических свойств. Например, облучение пленок
SiO2 электронами с дозой около 1 Кл/см2 или ионами с дозой примерно
10 мКл/см2 приводит к увеличению скорости травления облученных
участков в травителях на основе плавиковой кислоты в 3 - 4 раза.
     Перечисленные выше ограничения привели к тому, что в
настоящее время процессы ИПТ практически не используются для
размерного травления материалов, но находят широкое применение для
планаризации (сглаживания) и очистки их поверхностей. В то же время
высокая эффективность очистки поверхности материала от различных
загрязнений и адсорбированных газов, простота реализации и
возможность интеграции в одной вакуумной камере с процессами и
устройствами осаждения делают ионно-плазменное травление
незаменимым для предварительной очистки подложек в одном
вакуумном цикле перед нанесением функциональных слоев. Кроме
этого, процессы ИПТ становятся конкурентоспособными и даже
предпочтительными при травлении слоев меди и никеля в печатных
платах больших размеров.

     4.7. Реактивное ионно-плазменное травление (РИПТ)

     При проведении реактивного ионно-плазменного травления
(синоним – реактивного ионного травления) обрабатываемые образцы
находятся в контакте с плазмой и размещаются на электроде,
подключенном к источнику ВЧ напряжения. Удаление материала
происходит как за счет физического распыления ускоренными ионами
химически активных газов, так и в результате химических реакций
                                178