Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

8
новном, в секторе производства изделий электронной техники, где
плазменные технологии работают в трех основных направлениях
(рис. 1.1.1):
Рис. 1.1.1. Основные области использования процессов с ННГП в
технологии микроэлектроники
• Плазменное осаждение покрытий, включая плазменное напыление
и стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы. Тонкие
пленки металлов, используемые в качестве функциональных слоев
и межэлементных соединений в ИМС, получают в процессах рас-
пыления в среде инертных газов в диодных, триодных и магне-
тронных системах. При использовании в качестве плазмообразую-
щего газа кремнийсодержащих соединений (например, SiCl
4
и
SiH
4
) возможно осаждение поликристаллического кремния, а с до-
бавками кислорода, оксида азота, аммиака и углеводородов (метан,
этилен) – SiO
2
, Si
3
N
4
и SiC. Плазма в среде углеводородов обеспе-
чивает процессы плазменной полимеризации, позволяя получать
кремний- и металлсодержащие полимеры с уникальными свойст-
вами.
• Плазменная модификация поверхности. Этот процесс позволяет
вносить локальные изменения в свойства обрабатываемой поверх-
ности (гидрофильность, адгезионные характеристики, химический
состав и т. д.) при сохранении неизменными объемных свойств.
Основными объектами здесь служат полимерные материалы (по-
лиимид, полиэтилен), а в качестве плазмообразующих сред ис-
пользуются Ar, O
2
, NO, NH
3
, их смеси и воздух.
• Плазменное травление и очистка поверхности. Типичными пред-
ставителями этой группы процессов являются травление фоторези-
ста в кислородной плазме, а также травление металлов и полупро-
новном, в секторе производства изделий электронной техники, где
плазменные технологии работают в трех основных направлениях
(рис. 1.1.1):




  Рис. 1.1.1. Основные области использования процессов с ННГП в
                   технологии микроэлектроники

• Плазменное осаждение покрытий, включая плазменное напыление
  и стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы. Тонкие
  пленки металлов, используемые в качестве функциональных слоев
  и межэлементных соединений в ИМС, получают в процессах рас-
  пыления в среде инертных газов в диодных, триодных и магне-
  тронных системах. При использовании в качестве плазмообразую-
  щего газа кремнийсодержащих соединений (например, SiCl4 и
  SiH4) возможно осаждение поликристаллического кремния, а с до-
  бавками кислорода, оксида азота, аммиака и углеводородов (метан,
  этилен) – SiO2, Si3N4 и SiC. Плазма в среде углеводородов обеспе-
  чивает процессы плазменной полимеризации, позволяя получать
  кремний- и металлсодержащие полимеры с уникальными свойст-
  вами.
• Плазменная модификация поверхности. Этот процесс позволяет
  вносить локальные изменения в свойства обрабатываемой поверх-
  ности (гидрофильность, адгезионные характеристики, химический
  состав и т. д.) при сохранении неизменными объемных свойств.
  Основными объектами здесь служат полимерные материалы (по-
  лиимид, полиэтилен), а в качестве плазмообразующих сред ис-
  пользуются Ar, O2, NO, NH3, их смеси и воздух.
• Плазменное травление и очистка поверхности. Типичными пред-
  ставителями этой группы процессов являются травление фоторези-
  ста в кислородной плазме, а также травление металлов и полупро-


                                8

Страницы