Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 89 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

89
ному току на второй электрод. Если
+−
<<
12
ii , а это выполнится при ус-
ловии
2/1
12
)/5.0()/(
+
<< MmSS
e
, то 0
11
≈−
+−
ii . Следовательно, первый
электрод находится практически под плавающим потенциалом. Когда
второй электрод находится под большим отрицательным потенциа-
лом, то
++−−+
≈−=−=
21122
iiiiiI . Ток в цепи равен току ионов на второй
электрод. Поскольку и в этом случае
++
<<
12
ii , то 0
11
≈−
+−
ii , потенциал
первого электрода почти соответствует плавающему.
0 1 2 3 4 5 6 7
-5
0
5
10
t, отн.ед.
U/kT
e
1
3'
3
2'
2
Рис. 2.3.5. Распределение потенциалов в ВЧ разряде: 1- питающее на-
пряжение; 2 и 2’ – разница потенциалов
ef
kTUU /)(
1
−
для соотноше-
ния площадей электродов
12
/ SS , равного 0.5 и 0.001, соответственно;
3 и 3’ - разница потенциалов
ef
kTUU /)(
2
− для тех же
12
/ SS
Малый электрод в положительный полупериод питающего на-
пряжения находится под гораздо более отрицательным потенциалом
относительно плазмы, чем большой, то есть подвергается интенсив-
ной бомбардировке положительными ионами, энергия которых зави-
сит как от приложенного напряжения, так и от соотношения площа-
дей электродов. Это явление и принято называть самосмещением.
Плазма ВЧ разряда находит широкое применение в технологии
микроэлектроники при проведении процессов нанесения покрытий,
травления материалов и модификации поверхности. Существование
нескольких способов возбуждения ВЧ разряда (см. рис. 2.3.2) обу-
славливает существование нескольких типов плазмохимических ВЧ
реакторов; некоторые типы реакторов, используемых для плазменно-
ному току на второй электрод. Если i2− << i1+ , а это выполнится при ус-
ловии ( S 2 / S1 ) << (0.5me / M + )1/ 2 , то i1− − i1+ ≈ 0 . Следовательно, первый
электрод находится практически под плавающим потенциалом. Когда
второй электрод находится под большим отрицательным потенциа-
лом, то I = i2+ − i2− = i1− − i1+ ≈ i2+ . Ток в цепи равен току ионов на второй
электрод. Поскольку и в этом случае i2+ << i1+ , то i1− − i1+ ≈ 0 , потенциал
первого электрода почти соответствует плавающему.
               U/kTe

                                              2
                10
                                                  2'

                 5
                                                                3
                                                                    3'
                 0



                -5                                      1

                     0   1      2      3        4           5       6    7
                                           t, отн.ед.

Рис. 2.3.5. Распределение потенциалов в ВЧ разряде: 1- питающее на-
пряжение; 2 и 2’ – разница потенциалов (U f − U1 ) / kTe для соотноше-
ния площадей электродов S 2 / S1 , равного 0.5 и 0.001, соответственно;
3 и 3’ - разница потенциалов (U f − U 2 ) / kTe для тех же S 2 / S1

      Малый электрод в положительный полупериод питающего на-
пряжения находится под гораздо более отрицательным потенциалом
относительно плазмы, чем большой, то есть подвергается интенсив-
ной бомбардировке положительными ионами, энергия которых зави-
сит как от приложенного напряжения, так и от соотношения площа-
дей электродов. Это явление и принято называть самосмещением.
      Плазма ВЧ разряда находит широкое применение в технологии
микроэлектроники при проведении процессов нанесения покрытий,
травления материалов и модификации поверхности. Существование
нескольких способов возбуждения ВЧ разряда (см. рис. 2.3.2) обу-
славливает существование нескольких типов плазмохимических ВЧ
реакторов; некоторые типы реакторов, используемых для плазменно-


                                        89

Страницы