Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 90 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

90
го травления материалов, представлены на рис. 2.3.6.
a) б)
в)
Рис. 2.3.6. Некоторые типы плазмо-
химических реакторов с использо-
ванием плазмы ВЧ разряда: а, б –
диодные реакторы с внутренними
электродами и емкостным возбуж-
дением разряда; в - безэлектродный
реактор с индукционным возбуж-
дением разряда
Исторически первыми были созданы и использовались реакто-
ры диодного типа с плоскими параллельными электродами, располо-
женными внутри рабочей камеры. В варианте а) обрабатываемый ма-
териал располагается на заземленном электроде и находится под пла-
вающим потенциалом относительно плазмы. Соответственно, энергия
ионов, бомбардирующих образец, здесь невелика (10 – 30 эВ, соглас-
но формуле (1.96), и процессами физического распыления материала
можно пренебречь. Такой реактор получил название реактора объем-
ного травления (bulk etching reactor), реактора плазменного травления
(plasma etching (PE) rector) или реактора с анодной связью.
В варианте б) при расположении материала на электроде, под-
соединенном к ВЧ генератору, величина отрицательного самосмеще-
ния на нем достигает нескольких сотен вольт (
(
)
rfdc
UU 8.04.0
−
≈
, где
rf
U - амплитудное значение питающего разряд ВЧ напряжения), так
что травление материала может обеспечиваться одновременно хими-
ческим и физическим механизмами. Такая модификация носит назва-
ние реактора реактивного ионного травления (reactive ion etching
(RIE) reactor) или реактора с катодной связью. Основными недостат-
ками диодных реакторов являются загрязнение рабочей камеры про-
дуктами распыления и/или взаимодействия плазмы с электродами, а
Coil
Wafer
RF Biased Electrode
Insulating
Plate 
го травления материалов, представлены на рис. 2.3.6.




a)                                         б)
        Coil
                                           Рис. 2.3.6. Некоторые типы плазмо-
                                           химических реакторов с использо-
                                           ванием плазмы ВЧ разряда: а, б –
                                           диодные реакторы с внутренними
Wafer                                      электродами и емкостным возбуж-
                                           дением разряда; в - безэлектродный
                              Insulating   реактор с индукционным возбуж-
        RF Biased Electrode   Plate        дением разряда
в)
       Исторически первыми были созданы и использовались реакто-
ры диодного типа с плоскими параллельными электродами, располо-
женными внутри рабочей камеры. В варианте а) обрабатываемый ма-
териал располагается на заземленном электроде и находится под пла-
вающим потенциалом относительно плазмы. Соответственно, энергия
ионов, бомбардирующих образец, здесь невелика (10 – 30 эВ, соглас-
но формуле (1.96), и процессами физического распыления материала
можно пренебречь. Такой реактор получил название реактора объем-
ного травления (bulk etching reactor), реактора плазменного травления
(plasma etching (PE) rector) или реактора с анодной связью.
       В варианте б) при расположении материала на электроде, под-
соединенном к ВЧ генератору, величина отрицательного самосмеще-
ния на нем достигает нескольких сотен вольт (U dc ≈ (0.4 − 0.8)U rf , где
U rf - амплитудное значение питающего разряд ВЧ напряжения), так
что травление материала может обеспечиваться одновременно хими-
ческим и физическим механизмами. Такая модификация носит назва-
ние реактора реактивного ионного травления (reactive ion etching
(RIE) reactor) или реактора с катодной связью. Основными недостат-
ками диодных реакторов являются загрязнение рабочей камеры про-
дуктами распыления и/или взаимодействия плазмы с электродами, а

                                           90

Страницы