Составители:
Рубрика:
Рис.3.7. Температурная зави-
симость концентрации свободных
носителей заряда в собственном
полупроводнике в координатах
Tn
i
/1ln
−
Видно (рис.3.7), что
по тангенсу угла наклона получающейся прямой линии можно экспери-
ментально определить ширину запрещенной зоны собственного полупро-
водника. Иллюстрация свойств собственных полупроводников приведена в
табл.3.1.
Таблица 3.1
Ширина запрещенной зоны и концентрация свободных носителей
заряда некоторых полупроводников при Т=293 К
Вещество Е
g
, ЭВ n
i
, см
-3
Ge 0,72 2,37 10
13
Si 1,10 1,38 10
1
0
GaAs 1,40 1,40 10
7
Из данных, приведенных в этой таблице, в частности, следует, что
при не слишком высоких температурах концентрация собственных сво-
бодных носителей в полупроводнике оказывается очень низкой. Для
сравнения отметим, что даже в химически очень чистых полу-
проводниках (концентрация примеси меньше 10
-6
ат.%) концентра-
ция примеси, а значит, и потенциально возможная концентрация сво-
бодных носителей заряда, которые могут возникнуть при ионизации
примесных атомов, оказывается порядка 10
16
см
-3
.
Именно этим обстоятельством объясняется высокая чувствитель-
ность свойств полупроводников к примесям и та важная роль, которую
играют примеси в полупроводнике.
88
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 86
- 87
- 88
- 89
- 90
- …
- следующая ›
- последняя »
