ВУЗ:
Составители:
(
)
q
pDn
/1
41,2=τ .
Рис. 12.7. Изменение расстояния между головными дислокациями
в зависимости от приложенного напряжения и определение критических напряжений зарождения
микротрещины:
1 – двойник; 2 – граница двойника; 3 – плоское скопление
Критические напряжения зарождения трещин при термоактивированном подходе определяли по
пересечению зависимостей W = W(
τ
) с прямой W
cr
= 1 эВ. При этом получали определенное значение
τ
и соответствующее ему отношение
cr
)(
WW
d/h
=
. Подставляя последнее в (12.11) получаем условие зарож-
дения микротрещины по термоактивированному критерию в виде
q
WW
hdpDn
/1
))((
cr
=
=τ .
В предварительных расчетах выбиралась ширина двойного перегиба l. В [259] она принималась рав-
ной 2b. Но в нашем случае 2b не кратно вектору трансляции вдоль линии дислокации. А именно ему, оче-
видно, и должна быть пропорциональна ширина перегиба l. На рис. 12.8 показано изменение энергии пар-
ного перегиба в зависимости от его ширины.
В области приведенных значений l энергия перегиба меняется не более чем на 20 %. Поэтому в даль-
нейших расчетах l было выбрано одинаковым для обоих типов решеток и равным двум периодам транс-
ляции в направлении <110>, совпадающем с линией дислокации.
Найденные таким образом значения критических напряжений для рассмотренных в работе мате-
риалов приведены на рис. 12.9 и 12.10. Из рис. 12.9 видно, что критические напряжения зарождения
микротрещин, определенные по силовому критерию, для всех материалов остаются выше напряжений
th
cr
τ , соответствующих термоактивированному механизму. Причем критические напряжения, определяе-
мые по силовому критерию, для всех материалов остаются выше напряжений, получающихся при тер-
моактивированном подходе. Для некоторых материалов (Ni,
γ
-Fe) данныe, полученные с помощью
обоих подходов,
Рис. 12.8. Зависимость энергии перегиба W от его ширины l
(а – параметр решетки)
3
2
1
W, эВ
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 167
- 168
- 169
- 170
- 171
- …
- следующая ›
- последняя »
