Физико-химические основы электронно-вычислительных средств. Филатов Б.Г - 12 стр.

UptoLike

12
Поднимите кронштейн, переместите столик по оси X на шаг 6 мм (что
соответствует пяти полным оборотам микрометрического винта X – один
оборот соответствует перемещению на 1,2 мм). Опустите кронштейн и
повторите отсчет во второй точке. Проведите аналогично еще семь из-
мерений по оси X (стороне 60 мм). Затем переместите с помощью мик-
рометрического винта У столик на 6 мм и т. д. После завершения экспе-
риментальной части выключите аппаратуру.
3. По результатам измерений необходимо построить гистограмму
(выбрав 5–6 интервалов) и рассчитать статистические оценки матема-
тического ожидания m(R
0
) и среднеквадратического отклонения σ(R
0
)
удельного поверхностного сопротивления пленки.
4. ОФОРМЛЕНИЕ ОТЧЕТА
Отчет должен содержать: постановку задачи исследования; табли-
цу результатов измерений; гистограмму для R
0
резистивной пленки;
топологию зон одинакового поверхностного сопротивления на подлож-
ке; анализ полученных экспериментальных данных.
5. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Каковы причины неравномерности напыления пленки по толщине?
2. Каковы пути повышения равномерности пленки по толщине?
3. В чем сущность четырехзондового метода измерения удельного
сопротивления?
4. Какие явления могут вносить существенные погрешности в ре-
зультаты измерений удельного сопротивления?
Таблица 1.4
иквологйоводнозеинежолоП
исооП У исооП Х
123456 789
1
2
3
4
5
6
7