Составители:
34
ление примеси после которой описывается выражением (3.10). Значе-
ние N
0
при этом велико и определяется либо пределом растворимости
данной примеси в полупроводниковом материале, либо концентрацией
примеси в стеклообразном слое на поверхности полупроводника. Этот
этап часто называют "загонкой".
После окончания первой стадии пластины помещают в другую печь
для последующей диффузии обычно при более высоких температурах.
В этой печи нет источника примеси, а если он создавался на первой
стадии в виде стеклообразного слоя на поверхности пластин, его пред-
варительно удаляют. Таким образом, тонкий слой легированного полу-
проводника, полученный на первом этапе, является источником пере-
распределяемой примеси при проведении второй стадии процесса. Для
создания отражающей границы второй этап (часто называемый "раз-
гонкой") проводят в окислительной атмосфере. При этом на поверхнос-
ти растет слой SiO
2
.
Существует заметное несоответствие между распределением при-
меси в источнике, сформированном при загонке, с декларируемым при
выводе выражения (3.14) – ступенчатым. Это несоответствие должно
отразиться на точности описания реального распределения примеси
после второй стадии диффузии выражением (3.14).
При моделировании двухстадийной диффузии и анализе результатов
процесса полагают, что выражение (3.14) достаточно точно соответ-
ствует реальному при условии, если величина произведения D
1
t
1
для
первого этапа процесса легирования значительно меньше, чем D
2
t
2
для
второго – D
2
t
2
>> D
1
t
1
. Это условие быстрой истощаемости источника.
В этом случае, учитывая, что количество накопленной при первом эта-
пе примеси определяется соотношением
11
0
2
π
Dt
QN=
из (3.14) получим
()
2
011
22 22
2
,ex
p
.
π4
NDt x
Nxt
Dt Dt
⎛⎞
=−
⎜⎟
⎜⎟
⎝⎠
(3.15)
Величины D
2
и t
2
относятся ко второй стадии диффузии.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »
