Физико-химические основы электронно-вычислительных средств. Филатов Б.Г - 35 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

35
Тонкий слой на поверхности полупроводниковой пластины является
источником, который очень быстро истощается. Непрерывная диффу-
зия в этом случае приводит к постоянному понижению поверхностной
концентрации примеси в полупроводнике. Эту особенность данного про-
цесса используют в полупроводниковой технологии для получения кон-
тролируемых значений низкой поверхностной концентрации примеси,
например для создания базовых областей кремниевых транзисторных
структур дискретных приборов или ИМС.
2. ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНОЙ УСТАНОВКИ
В лабораторной работе для исследования теоретических аспектов
процесса диффузии примеси в полупроводник используется специаль-
ная программа, работающая в среде WINDOWS и персональный ком-
пьютер IBM PC. Программа позволяет выполнять расчет параметров
диффузионного процесса и строить графики распределения примеси для
различных параметров: вида и источника примеси, концентрации при-
меси, температуры и времени диффузии.
3. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
1. Ознакомиться с методами проведения процессов диффузии для
формирования p–n-перехода и получить у преподавателя исходные дан-
ные. Составить и согласовать с преподавателем план работы.
2. Включить компьютер.
3. Запустить программу двойным нажатием левой кнопки мыши на
иконку "ЛР3", находящуюся на рабочем столе, и затем "ChemicGraph.exe "
(рис. 3.1).
4. Нажмите кнопку "Настройка" и в выпавшем меню выберите "Ве-
личины". В открывшемся окне введите исходные данные процесса диф-
фузии: D
t
, количество интервалов (не менее 100), время диффузии t
1
, t
2
и t
3
(рис. 3.2).
Выберите в нижней части панели требуемый вариант диффузии, ус-
тановив соответствующий флажок. Введите значение концентрации при-
меси N
0
, см
–3
.
Нажмите кнопку "Промежуточные значения" и в открывшемся окне:
введите z
1
– 0, z
2
= 3…5 и шаг для вычисления функции erfz и на-
жмите кнопку "Расчет" для получения расчетных значений;
введите x
1
, x
2
и шаг для расчета профиля распределения примеси по
глубине и нажмите кнопку "Расчет" (рис. 3.3).

Страницы