Составители:
115
Как видно из рис. 4.3, при патентировании в селитровой ванне с темпера-
турой 400
о
С должна получаться структура пластинчатого сорбита (сорбита патен-
тирования), что подтверждается и значением твердости проката, равным 262 НВ.
Снижение температуры селитровой ванны, с одной стороны, увеличивает раз-
ность свободных энергий аустенита и феррита, что ускоряет превращение, а с
другой стороны, вызывает уменьшение скорости изменения диффузии углеро-
да. При температурах ванны 370, 400, 425, 450, 550ºС избыточный феррит не
успевает образоваться, и структура являются квазиэвтектоидной.
На рис. 4.4 показаны микроструктура стали 40Х после патентирования
при температурах селитровой ванны 400, 425, 450, 550°С.
400ºС 425ºС
450 ºС 550ºС
Рис.4.4. Микроструктура проката «сорбит патентирования» в интервале
температур 400, 425, 450,550°С (х500)
Хотя структура при всех температурах называется «сорбит патентирова-
ния», но твердость уменьшается с повышением температуры (рис. 4.5), так как
дисперсность тем выше, чем ниже температура патентирования, то есть темпе-
ратурный интервал превращения аустенита.
Как видно из рис. 4.3, при патентировании в селитровой ванне с темпера- турой 400оС должна получаться структура пластинчатого сорбита (сорбита патен- тирования), что подтверждается и значением твердости проката, равным 262 НВ. Снижение температуры селитровой ванны, с одной стороны, увеличивает раз- ность свободных энергий аустенита и феррита, что ускоряет превращение, а с другой стороны, вызывает уменьшение скорости изменения диффузии углеро- да. При температурах ванны 370, 400, 425, 450, 550ºС избыточный феррит не успевает образоваться, и структура являются квазиэвтектоидной. На рис. 4.4 показаны микроструктура стали 40Х после патентирования при температурах селитровой ванны 400, 425, 450, 550°С. 400ºС 425ºС 450 ºС 550ºС Рис.4.4. Микроструктура проката «сорбит патентирования» в интервале температур 400, 425, 450,550°С (х500) Хотя структура при всех температурах называется «сорбит патентирова- ния», но твердость уменьшается с повышением температуры (рис. 4.5), так как дисперсность тем выше, чем ниже температура патентирования, то есть темпе- ратурный интервал превращения аустенита. 115
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 113
- 114
- 115
- 116
- 117
- …
- следующая ›
- последняя »