Физические основы полупроводниковой микро- и оптоэлектроники. - 1 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГУ | Томск

Рубрика: 

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ
"ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ МИКРО- И ОП-
ТОЭЛЕКТРОНИКИ"
Томск – 2005
I. Oрганизационно-методический раздел
1. Цель курса
Цель курса - знакомство студентов с основами полупроводниковой микро- и оптоэлек-
троники, дискретными приборами и интегральными схемами, основными терминами, физи-
ческими принципами, лежащими в основе работы микро- и оптоэлектронных устройств, тех-
нологическими операциями и характеристиками материалов, используемых при производст-
ве микро- и оптоэлектронных полупроводниковых
приборов.
2. Задачи учебного курса
Студент должен получить базовые знания по основным параметрам используемых в мик-
ро- и оптоэлектронике материалов, характеристикам полупроводниковых приборов, физиче-
ским принципам их работы, технологическим процессам используемых в производстве мик-
ро- и оптоэлектронных полупроводниковых приборов.
3. Требования к уровню освоения курса
Курс базируется на курсах физики полупроводников
и полупроводниковых приборов,
материаловедения полупроводников, оптических свойств полупроводников.
II. Содержание курса
Темы и краткое содержание
№ Тема Содержание
1. Введение История развития полупроводниковой микро- и оптоэлектро-
ники, этапы развития (от дискретных приборов до , инте-
гральных схем), микроминиатюризация и закон Мура, совре-
менные тенденции развития микроэлектроники
2. Полупроводниковые
материалы
Основные характеристики (чистота по химическим примесям,
типы зонных спектров, основные параметры) полупроводни-
ковых материалов, используемых в микро- и оптоэлектронике
(полупроводники группы алмаза, соединения групп А
3
В
5
,
А
2
В
6
, А
4
В
4
, А
2
В
4
С
5
2
), области их применения
3. Металлы Области использования в микроэлектронике и основные ха-
рактеристики металлов (электропроводность, температура
плавления), тонкие металлические пленки и их параметры,
размерные эффекты в тонких пленках, гранулярные пленки,
методы получения (термовакуумное напыление, ионно-
плазменное распыление, электрохимическое осаждение) ме-
таллических пленок
4. Диэлектрики Диэлектрики, используемые в микроэлектронике, и их основ-
ные параметры; диэлектрические пленки, токи в диэлектриче-
ских пленках; понятие "идеального" диэлектрика, диэлектрик
с глубоким ловушками, вольт-амперные характеристики ди-
электриков, методы получения (термическое окисление, тер-

Страницы