ВУЗ:
мовакуумное напыление, ионно-плазменное распыление,
анодное окисление, химическое осаждение) диэлектрических
пленок
5. Основные технологиче-
ские процессы в микро-
электронике
Резка кристаллов, шлифовка пластин, типовые процессы очи-
стки и легирования полупроводников (перекристаллизация,
термообработка, диффузия примесей, ионная имплантация,
трансмутационное легирование, радиационная обработка),
способы изготовления (конденсация материала в вакууме,
термическое испарение, катодное распыление, реактивное,
ионно- плазменное и высоко- частотное распыление), эпитак-
сия полупроводников
6. Литография Литография (фото-, рентгеновская, электронная, ионная), фо-
тошаблон, фоторезист и его характеристики, основные техно-
логические процессы в литографии, их последовательность,
схема изготовления планарной структуры
7. Поверхность Поверхность, определение поверхности, приповерхностный
слой, зонный спектр приповерхностного слоя, способы защи-
ты поверхности (термическое и анодное окисление, защитные
пленки, легкоплавкие стекла).
8. Интегральные схемы Типы интегральных схем по функциональному назначению,
конструктивному решению (тонкопленочные, гибридные,
твердотельные, совмещенные), классификация интегральных
схем и их характеристики (интегральная и функциональная
плотность, информационная сложность, надежность и крите-
рии надежности, классификация испытаний); основные прин-
ципы проектирования схем, планарная технология и схема
изготовления планарной структуры, факторы, определяющие
развитие интегральных схем
; требования на параметры под-
ложек, типы подложек, источники и виды загрязнений, мето-
ды удаления загрязнений, типовые процессы очистки подло-
жек
9. Функциональная мик-
роэлектроника
Физические явления, лежащие в основе работы функциональ-
ных устройств (оптические явления, акустические и магнит-
ные явления, фазовые переходы, явление эмиссии, явления
переключения)
10. Оптоэлектроника (фо-
тоника)
Элементы оптоэлектроники: фотоприемники, излучающие
устройства, оптические среды, оптические элементы связи и
обработки информации; материалы оптоэлектроники (полу-
проводники, стекла, пластмассы, металлы), их параметры и
области применения
11. Полупроводниковые
фотоприемники
Приемники с внутренним фотоэффектом: основные парамет-
ры и характеристики, фоторезистор, фотовольтаические эф-
фекты, фотодиод и режимы его работы, уравнение фотодиода,
солнечный элемент, разновидности фотодиодов (диод с барь-
ером Шоттки, МДП - структура, p-i-n диод, инжекционный
фотодиод), униполярный и биполярный фототранзисторы и
их характеристики и параметры, фототиристор, фотоприем-
ники
на основе ФЭМ - эффекта; приемники на основе внеш-
него фотоэффекта, явление эмиссии, квантовый выход, порог
внешнего фотоэффекта, влияние условий на поверхности на
порог фотоэффекта, способы изменения порога
12. Полупроводниковые Спонтанное и индуцированное излучение, инверсная насе-
