Физические основы полупроводниковой микро- и оптоэлектроники. - 3 стр.

UptoLike

излучатели ленность, возбуждение активной среды, усиление и генерация
электромагнитного излучения, оптический резонатор, условие
самовозбуждения и усиления, лазер на p-n переходе, волно-
водные свойства активной среды, усиление и генерация опти-
ческого излучения, инжекционный светодиод и параметры
светодиодов, оптический резонатор, инжекционный гетерола-
зер и характеристики лазерного излучения, сравнительные
характеристики различных полупроводниковых излучателей
13. Оптические среды
Уравнения Максвелла, оптические постоянные (ε(0), ε(
) и
n
0
), дисперсия, изотропные и анизотропные оптические среды
(полупроводниковые материалы, стекла, полимеры), характе-
ристики электромагнитной волны, двулучепреломление, оп-
тическая индикатрисса, нелинейные оптические эффекты, фа-
зовый синхронизм, смешение и генерация оптически частот;
линейный и квадратичный электрооптические эффекты
14. Элементы интеграль-
ной оптоэлектроники
Волоконно - оптические линии связи (ВОЛС), элементы
ВОЛС (микролинзы, оптические фильтры, согласующие вол-
новоды, оптические ответвители, призменные и решеточные
элементы связи, преобразователи оптического излучения: мо-
дуляторы, поляризаторы, конверторы и усилители)
Семинары
Занятия включают знакомство с основными технологическими операциями в произ-
водстве микро- и оптоэлектронных приборов на основе технологического оборудования
СФТИ и НИИПП (г. Томск), ИФП СОРАН (г. Новосибирск):
Резка слитков, подготовка подложек и пластин (шлифовка, полировка, травление),
оценка качества поверхности.
Методы выращивания эпитаксиальных слоев: газофазовая эпитаксия, жидкостная
эпитаксия, эпитаксия из
молекулярных пучков.
Ионное легирование: основы ионного легирования, выбор легирующей примеси и ус-
ловий имплантации, области использования методов ионного легирования.
Получение диэлектрических пленок (окисление, пиролитическое осаждение, реактив-
ное катодное распыление).
Металлизация, способы осаждения металлов.
Литография (оптическая, рентгеновская, электроннолучевая,).
Химическое травление и факторы, определяющие скорость и селективность травле-
ния, контроль качества.
III. Распределение
часов курса по темам и видам работ
Аудиторные занятия (час)
в том числе
пп
Наименование
темы
Всего
часов
лекции семинары
лаборатор.
занятия
Самостоя-
тельная
работа
1
Введение
2 2
2
Полупроводниковые
материалы
5 4
1
3
Металлы
5 4
1
4
Диэлектрики
5 4
1
5
Основные технологиче-
ские процессы в микро-
электронике
24 9 11
4