Составители:
Рубрика:
Используются следующие исходные данные: тип канала, значение напряжения обрат-
ного смещения V
r
, начало, конец, грубый и точный шаг по диапазону V
b
. Конечным резуль-
татом является получение одиночной кривой I
cp
(V
b
).
Процедура измерения кривых зарядовой накачки включает в себя несколько этапов:
1) обзорный режим (поиск области существования тока зарядовой накачки);
2) уточнение границ найденной области (движение по V
b
с уменьшенным шагом в
двух поддиапазонах нарастания и спада тока I
cp
);
3) измерение частотной зависимости в максимуме I
cp
(при различных значениях час-
тоты пилообразного напряжения, подаваемого на структуру в этом режиме). Зна-
чение амплитуды пилообразного напряжения (V
a
) зафиксировано.
Расчет параметров транзистора по данным измерений
Совокупность расчетных процедур оформлена как отдельный модуль программы и
позволяет осуществлять обработку файлов данных передаточных характеристик и данных
метода зарядовой накачки. Набор параметров, для которых должен производиться расчет,
определяет пользователь из предложенного списка.
К числу рассчитываемых параметров относятся:
1). Пороговое напряжение V
T
;
2). Обратный наклон подпороговой характеристики S
dV
dI
g
d
=
(lg )
;
3). Крутизна передаточной характеристики g
dI
dV
m
d
g
= max( ) , VV
gt
≥ ;
4). Эффективная подвижность носителей в канале транзистора
µ
eff
m
ox d
g
CV
=
;
5). Напряжение плоских зон V
fb
;
6). Величина средней плотности граничных состояний D
it
.
Величина V
T
может быть найдена как из передаточной характеристики, так и из кри-
вой зарядовой накачки. В программе используются оба способа. В первом случае выбирается
надпороговая область на кривой I
d
(V
g
), которая была измерена с минимальным шагом. В
этой области строится последовательность аппроксимирующих прямых для заданного коли-
чества точек в координатах IV
dg
(). Число таких прямых определяется общим количеством
точек в анализируемой области, интервалом выборки для аппроксимации и шагом, с кото-
рым следуют выборки. Из полученных прямых выбирается та, которая имеет минимальное
Используются следующие исходные данные: тип канала, значение напряжения обрат-
ного смещения Vr, начало, конец, грубый и точный шаг по диапазону Vb. Конечным резуль-
татом является получение одиночной кривой Icp(Vb).
Процедура измерения кривых зарядовой накачки включает в себя несколько этапов:
1) обзорный режим (поиск области существования тока зарядовой накачки);
2) уточнение границ найденной области (движение по Vb с уменьшенным шагом в
двух поддиапазонах нарастания и спада тока Icp);
3) измерение частотной зависимости в максимуме Icp (при различных значениях час-
тоты пилообразного напряжения, подаваемого на структуру в этом режиме). Зна-
чение амплитуды пилообразного напряжения (Va) зафиксировано.
Расчет параметров транзистора по данным измерений
Совокупность расчетных процедур оформлена как отдельный модуль программы и
позволяет осуществлять обработку файлов данных передаточных характеристик и данных
метода зарядовой накачки. Набор параметров, для которых должен производиться расчет,
определяет пользователь из предложенного списка.
К числу рассчитываемых параметров относятся:
1). Пороговое напряжение VT;
dVg
2). Обратный наклон подпороговой характеристики S = ;
d (lg I d )
dI d
3). Крутизна передаточной характеристики gm = max( ) , Vg ≥ Vt ;
dVg
gm
4). Эффективная подвижность носителей в канале транзистора µeff = ;
CoxVd
5). Напряжение плоских зон Vfb;
6). Величина средней плотности граничных состояний Dit .
Величина VT может быть найдена как из передаточной характеристики, так и из кри-
вой зарядовой накачки. В программе используются оба способа. В первом случае выбирается
надпороговая область на кривой Id(Vg), которая была измерена с минимальным шагом. В
этой области строится последовательность аппроксимирующих прямых для заданного коли-
чества точек в координатах I d (Vg ) . Число таких прямых определяется общим количеством
точек в анализируемой области, интервалом выборки для аппроксимации и шагом, с кото-
рым следуют выборки. Из полученных прямых выбирается та, которая имеет минимальное
