Составители:
Рубрика:
3. Открыть основное меню программы. Изучить структуру специализированных окон
программы, последовательно вызывая их из главного окна. Освоить технику ввода
параметров измерительных процедур.
4. Запустить процедуру измерения передаточной ВАХ транзистора. По завершении
цикла, вывести измеренную кривую на дисплей. Пользуясь возможностями графи-
ки, пронаблюдать характерные участки ВАХ (подпороговый, квадратичный и на-
сыщения).
5. Запустить процедуру измерения выходной ВАХ при затворном напряжении, на ~ 1
вольт превышающем пороговое (см. предыдущий пункт). После измерения, вывес-
ти кривую на дисплей и пронаблюдать участки линейного роста и насыщения.
6. Вызвать процедуру измерения зарядовой накачки, задать интервал сканирования
напряжения пьедестала таким образом, чтобы он простирался от области закрытого
канала до области насыщения. Величину обратносмещающего напряжения устано-
вить в интервале 0.2-0.5 вольт. Затем вывести измеренную кривую зарядовой на-
качки на монитор, провести качественное сравнение порогового напряжения тран-
зистора, полученного данным способом и из передаточной ВАХ.
7. Зайти в процедуру извлечения базовых параметров МОП транзистора и запустить
ее исполнение. Последовательно проходя все пункты меню, получить искомые па-
раметры. Перенести их в лабораторный журнал для подготовки отчета.
8. Распечатать на принтере измеренные ВАХ для последующего представления в от-
чете. При необходимости, скопировать файлы проекта на дискету.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. В чем заключается эффект поля и каковы особенности его использования в ра-
боте МОП транзистора?
2. Сформулируйте посылки одномерной модели транзистора с плавным каналом и
дайте вывод выражений для ВАХ.
3. В чем состоят отличия реального транзистора от идеализированной модели? По-
ясните ключевые моменты метода зарядовой накачки для характеризации со-
вершенства границы раздела полупроводник-диэлектрик в транзисторной струк-
туре.
Рекомендуемая литература
1. Гуртов В.А. Полевые транзисторы
со структурой МДП // Петрозаводск. 1987. 58 стр.
2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов, т.2 // Москва «Мир». 1984 г.
3. Heremans P., Witters J., Groeseneken G., Maes H.E. Analysis Of charge pumping Techique
And Its Application For MOSFET Degradation // IEEE Trans. On Elect. Devices. 1989. V.36.
№7. P.1318-1335.
3. Открыть основное меню программы. Изучить структуру специализированных окон
программы, последовательно вызывая их из главного окна. Освоить технику ввода
параметров измерительных процедур.
4. Запустить процедуру измерения передаточной ВАХ транзистора. По завершении
цикла, вывести измеренную кривую на дисплей. Пользуясь возможностями графи-
ки, пронаблюдать характерные участки ВАХ (подпороговый, квадратичный и на-
сыщения).
5. Запустить процедуру измерения выходной ВАХ при затворном напряжении, на ~ 1
вольт превышающем пороговое (см. предыдущий пункт). После измерения, вывес-
ти кривую на дисплей и пронаблюдать участки линейного роста и насыщения.
6. Вызвать процедуру измерения зарядовой накачки, задать интервал сканирования
напряжения пьедестала таким образом, чтобы он простирался от области закрытого
канала до области насыщения. Величину обратносмещающего напряжения устано-
вить в интервале 0.2-0.5 вольт. Затем вывести измеренную кривую зарядовой на-
качки на монитор, провести качественное сравнение порогового напряжения тран-
зистора, полученного данным способом и из передаточной ВАХ.
7. Зайти в процедуру извлечения базовых параметров МОП транзистора и запустить
ее исполнение. Последовательно проходя все пункты меню, получить искомые па-
раметры. Перенести их в лабораторный журнал для подготовки отчета.
8. Распечатать на принтере измеренные ВАХ для последующего представления в от-
чете. При необходимости, скопировать файлы проекта на дискету.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. В чем заключается эффект поля и каковы особенности его использования в ра-
боте МОП транзистора?
2. Сформулируйте посылки одномерной модели транзистора с плавным каналом и
дайте вывод выражений для ВАХ.
3. В чем состоят отличия реального транзистора от идеализированной модели? По-
ясните ключевые моменты метода зарядовой накачки для характеризации со-
вершенства границы раздела полупроводник-диэлектрик в транзисторной струк-
туре.
Рекомендуемая литература
1. Гуртов В.А. Полевые транзисторы со структурой МДП // Петрозаводск. 1987. 58 стр.
2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов, т.2 // Москва «Мир». 1984 г.
3. Heremans P., Witters J., Groeseneken G., Maes H.E. Analysis Of charge pumping Techique
And Its Application For MOSFET Degradation // IEEE Trans. On Elect. Devices. 1989. V.36.
№7. P.1318-1335.
