Изучение электрофизических параметров полевого МДП транзистора. Гардин Ю.Е - 11 стр.

UptoLike

пульсов (т.е. в частоту). Полный диапазон измеряемых токов в объекте от 1 пА до 1 мА
разбит на 4 интервала, выбор каждого из них осуществляется программно.
Рис. 4. Блок-схема измерителя параметров МОП транзисторов
Режим измерения (т.е. тип регистрируемой ВАХ) задается программно, с помощью
входного блока коммутации выводов МДП транзистора. Измеряемый объект размещается
непосредственно в корпусе измерительной установки для уменьшения внешних наводок.
Структура управляющей программы и пользовательский интерфейс.
Программа управления измерителем характеристик полевых транзисторов орга-
низована
как многодокументное приложение, управляемое из главного диалогового
окна (рис.4). Из главного окна могут быть запущены: (1) модули проведения измерений
(измерение выходных и передаточных характеристик полевого транзистора и измере-
ние токов по методу зарядовой накачки); (2) интерактивная подсказка, указывающая на
то, какие дальнейшие действия должен осуществить пользователь; (3) модуль матема-
тических расчетов, обрабатывающий результаты
измерений; (4) модуль-интерфейс к
среде моделирования элементов интегральных схем Microtec, который организует
управление группами параметров и ввод значений параметров для запуска расчетных
программ Microtec; (5) модуль графического вывода, визуализирующий серии экспе-
риментальных и расчетных кривых.
пульсов (т.е. в частоту). Полный диапазон измеряемых токов в объекте от 1 пА до 1 мА
разбит на 4 интервала, выбор каждого из них осуществляется программно.




                Рис. 4. Блок-схема измерителя параметров МОП транзисторов
      Режим измерения (т.е. тип регистрируемой ВАХ) задается программно, с помощью
входного блока коммутации выводов МДП транзистора. Измеряемый объект размещается
непосредственно в корпусе измерительной установки для уменьшения внешних наводок.
       Структура управляющей программы и пользовательский интерфейс.
      Программа управления измерителем характеристик полевых транзисторов орга-
низована как многодокументное приложение, управляемое из главного диалогового
окна (рис.4). Из главного окна могут быть запущены: (1) модули проведения измерений
(измерение выходных и передаточных характеристик полевого транзистора и измере-
ние токов по методу зарядовой накачки); (2) интерактивная подсказка, указывающая на
то, какие дальнейшие действия должен осуществить пользователь; (3) модуль матема-
тических расчетов, обрабатывающий результаты измерений; (4) модуль-интерфейс к
среде моделирования элементов интегральных схем Microtec™, который организует
управление группами параметров и ввод значений параметров для запуска расчетных
программ Microtec™; (5) модуль графического вывода, визуализирующий серии экспе-
риментальных и расчетных кривых.