Изучение электрофизических параметров полевого МДП транзистора. Гардин Ю.Е - 9 стр.

жектируемых истоком и стоком, и основных носителей, идущих из подложки при пере-
ключении транзистора из режима инверсии в режим обогащения.




                            Рис. 4. Кривая тока зарядовой накачки.
Согласно теории Шокли-Рида ток зарядовой накачки будет прямо пропорционален плот-
ности ПС, площади затвора и частоте импульсов. Амплитуду, частоту, времена нараста-
ния и спада фронтов во время измерения сохраняют постоянными. Полученная зависи-
мость тока подложки от приложенного к затвору напряжения пьедестала приведена на
рис. 4. На ней можно выделить пять характерных областей. Область 1 соответствует явно
выраженному эффекту зарядовой накачки, когда уровень пьедестала импульса меньше
напряжения плоских зон, а вершина импульса выше порогового напряжения. При таких
условиях ток зарядовой накачки достигает максимального значения. Ток зарядовой накач-
ки, измеренный в цепи подложки, будет определятся следующим образом

                                   I CP = 2qD it fSG kT                          (16)

где   D it - средняя плотность ПС по каналу,
      SG - площадь затвора, f - частота импульсов.
      На участках 2 и 3 ток зарядовой накачки равен нулю. На участке 2 уровни пьеде-
стала и вершины импульса меньше напряжения плоских зон, т.е. транзистор всегда нахо-