Изучение электрофизических параметров полевого МДП транзистора. Гардин Ю.Е - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

µ
α
n
OX D
Ltg
ZC V
=
⋅
(15)
Таким образом, из статических ВАХ МОП-транзистора можно рассчитать большое
количество параметров, характеризующих полупроводник диэлектрик и границу раздела
между ними.
Рис. 3. Упрощенная схема для измерения кривой тока зарядовой накачки.
Для измерения параметров ПС в транзисторных структурах используются динами-
ческие методы исследования. Наиболее точным является метод зарядовой накачки (CP).
Этот метод позволяет получить информацию о средней по энергии плотности ПС, а также
об энергетическом распределении состояний в запрещенной зоне полупроводника.
Затвор МДП-транзистора подключен к генератору, к системе сток-исток приложе-
но обратное смещение по отношению к подложке (рис.3). Генератор вырабатывает возбу-
ждающие импульсы (обычно трапецеидальной формы) определенной амплитуды V
A
с
определенным смещением (пьедесталом) V
B
. Снимается зависимость тока подложки как
функция приложенного к затвору напряжения пьедестала импульса V
B
. Этот ток вызван
циклической рекомбинацией на межфазных ловушках (ПС) неосновных носителей, ин-
                                         L ⋅ tgα
                                 µn =                                              (15)
                                        ZC OX VD
      Таким образом, из статических ВАХ МОП-транзистора можно рассчитать большое
количество параметров, характеризующих полупроводник диэлектрик и границу раздела
между ними.




           Рис. 3. Упрощенная схема для измерения кривой тока зарядовой накачки.
      Для измерения параметров ПС в транзисторных структурах используются динами-
ческие методы исследования. Наиболее точным является метод зарядовой накачки (CP).
Этот метод позволяет получить информацию о средней по энергии плотности ПС, а также
об энергетическом распределении состояний в запрещенной зоне полупроводника.
      Затвор МДП-транзистора подключен к генератору, к системе сток-исток приложе-
но обратное смещение по отношению к подложке (рис.3). Генератор вырабатывает возбу-
ждающие импульсы (обычно трапецеидальной формы) определенной амплитуды VA с
определенным смещением (пьедесталом) VB. Снимается зависимость тока подложки как
функция приложенного к затвору напряжения пьедестала импульса VB. Этот ток вызван
циклической рекомбинацией на межфазных ловушках (ПС) неосновных носителей, ин-

Страницы