Спецпрактикум по сверхвысоким частотам. Гусев Ю.А. - 123 стр.

UptoLike

Составители: 

короткозамыкателя и согласованной нагрузки
[
]
[]
)()(
)()(
0
tиtиF
tиtиF
Г
СНКЗ
СН
+
=
где
F[.] - преобразование Фурье; и
о
, и
кз
и и
сн
- сигналы, отраженные от
измерительной ячейки с диэлектриком, короткозамыкателем и согласованной
нагрузки соответственно. Согласованная нагрузка применяется для определения
нулевой линии прибора, а короткозамыкатель для нахождения падающей волны.
Связь диэлектрической проницаемости с коэффициентом отражения
определяется используемой измерительной ячейкой. В зависимости от
используемой измерительной ячейки различают следующие методы измерения
диэлектрической проницаемости во временной
области: одного отражения,
тонкого образца, концевой емкости. Приближенное описание метода, вид ячейки
и расчетные соотношения для случая, когда волновое сопротивление
измерительной ячейки
W = W
o
, где W
o
- волновое сопротивление подводящего
тракта, приведены в таблице 1.
Таблица 1.
Ниже рассмотрены методы измерения диэлектрической проницаемости
непроводящих диэлектриков.
1. Метод одного отражения (толстого образца)
Метод справедлив при условии
f
min
>c/2Lε
½
, L-длина измерительной ячейки.
Диэлектрическая проницаемость непроводящих диэлектриков определяется
выражением:
2
0
)1(
)1(
+
=
ГW
ГW
ε
короткозамыкателя и согласованной нагрузки

                                     F [и0 (t ) − иСН (t )]
                              Г =−
                                     F [и КЗ (t ) + иСН (t )]

    где F[.] - преобразование Фурье; ио, икз и исн - сигналы, отраженные от
измерительной ячейки с диэлектриком, короткозамыкателем и согласованной
нагрузки соответственно. Согласованная нагрузка применяется для определения
нулевой линии прибора, а короткозамыкатель для нахождения падающей волны.
    Связь диэлектрической проницаемости с коэффициентом отражения
определяется используемой измерительной ячейкой. В зависимости от
используемой измерительной ячейки различают следующие методы измерения
диэлектрической проницаемости во временной области: одного отражения,
тонкого образца, концевой емкости. Приближенное описание метода, вид ячейки
и расчетные соотношения для случая, когда волновое сопротивление
измерительной ячейки W = Wo, где Wo - волновое сопротивление подводящего
тракта, приведены в таблице 1.

                                                                  Таблица 1.




    Ниже рассмотрены методы измерения диэлектрической проницаемости
непроводящих диэлектриков.

                1. Метод одного отражения (толстого образца)

    Метод справедлив при условии fmin>c/2Lε½ , L-длина измерительной ячейки.
    Диэлектрическая проницаемость непроводящих диэлектриков определяется
выражением:
                                                         2
                                      ⎛ W (1 − Г ) ⎞
                                 ε = ⎜⎜             ⎟⎟
                                      ⎝ W0 (1 + Г ) ⎠