ВУЗ:
Составители:
8
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
+
−
+
−
−=
4n
3
1/2j
1
n
)Z(
n
)(Z
RyE
3
4
2
2
2
2
1
nlj
aa
α
(8).
Здесь Ry =13,595 эВ, α=2πe
2
/hc=7,297⋅10
-3
- постоянная тонкой
структуры; j =⎪l±s⎪=⎪l±1/2⎪ (l - орбитальное квантовое число, принимающее
значения l=0, 1, 2,...n-1; s =1/2 - спиновое квантовое число электрона).
Разницу между первым и вторым членом в квадратных скобках
формулы (8) в основном определяет множитель α
2
(Z – a
2
)
4
. Если первый член
для L-оболочки в средней части таблицы элементов составляет величину ∼
(3 - 4) кэВ, то второй ∼ (0,2 - 0,3) кэВ.
Рассмотрим изменение структуры уровней энергии в результате учета
спин-орбитального взаимодействия. Энергия K-оболочки (n=1), или K-уровень
несколько изменит свое положение из-за учета релятивистской зависимости
массы электрона от скорости, но не расщепится. Это
связано с тем, что при l=0
магнитный орбитальный момент электрона равен нулю (магнитного
орбитального поля нет) и, следовательно, собственные магнитные моменты
электронов каждого атома направлены хаотически и их среднее значение равно
нулю. Таким образом, S-термы (l=0) всегда синглетны. Напротив, P (l=1), D
(l=2), F (l=3) и т.д. термы всегда дублетны, т.к
. спин электрона может принимать
направления в среднем по или против орбитального магнитного поля, которое
создается движением электрона по орбите.
Эти же результаты можно получить, если во втором члене формулы (8)
подставить значения j, соответствующие возможным значениям l при заданном
n. В результате мы увидим, что, исключая K оболочку, L оболочка расщепится
на три уровня L
I
, L
II
и L
III
, для которых соответственно l=0 (s-термы синглетны,
L
I
) и l =1 (p-термы дублетны, L
II
и L
III
), M оболочка расщепится на пять уровней
M
I
, M
II
, M
III
, M
IV
и M
V
и т.д. Схема уровней представлена на рис.3.
Энергия спин-орбитального взаимодействия в основном зависит от
электронной плотности вблизи ядра, поэтому эффективный заряд ядра
определяется внутренними по отношению к данной оболочке электронами. В
результате постоянная экранирования a
2
< a
1
. Постоянная a
2
называется
постоянной внутреннего экранирования. Она не зависит от Z и растет с
увеличением n и l, так для n=2 a
2
=3,5; для n=3 и l=1 a
2
=8,5; а для n=3 и l=2
a
2
=13.
Согласно правилам отбора в дипольном приближении для
одноэлектронных (здесь однодырочных) атомов переходы возможны при
условиях
Δl = ±1 Δj = 0, ±1 (9)
На рис.3 представлена диаграмма переходов линий с принятыми в
рентгеновской спектроскопии обозначениями. Следует иметь в виду, что эти
правила нарушаются, и в спектре наблюдаются слабые линии, соответствующие
электрическим квадрупольным
переходам Δl= 0, ±2, Δj= 0, ±1, ±2, а также
магнитным дипольным переходам.
Расположение K, L, M…уровней, как и расстояния между подуровнями
(L
III
-L
II
, L
II
-L
I
, M
II
-M
I
, и т.д.), представленные на схеме, никак не отражает
⎡ (Z − a1 ) 2 α 2 ( Z − a 2 ) 4 ⎛ 1 3 ⎞⎤ E nlj = − Ry ⎢ + ⎜⎜ − ⎟⎟⎥ (8). ⎝ j + 1/2 4n ⎠⎦ 2 ⎣ n n3 Здесь Ry =13,595 эВ, α=2πe2/hc=7,297⋅10-3 - постоянная тонкой структуры; j =⎪l±s⎪=⎪l±1/2⎪ (l - орбитальное квантовое число, принимающее значения l=0, 1, 2,...n-1; s =1/2 - спиновое квантовое число электрона). Разницу между первым и вторым членом в квадратных скобках формулы (8) в основном определяет множитель α2 (Z – a2)4. Если первый член для L-оболочки в средней части таблицы элементов составляет величину ∼ (3 - 4) кэВ, то второй ∼ (0,2 - 0,3) кэВ. Рассмотрим изменение структуры уровней энергии в результате учета спин-орбитального взаимодействия. Энергия K-оболочки (n=1), или K-уровень несколько изменит свое положение из-за учета релятивистской зависимости массы электрона от скорости, но не расщепится. Это связано с тем, что при l=0 магнитный орбитальный момент электрона равен нулю (магнитного орбитального поля нет) и, следовательно, собственные магнитные моменты электронов каждого атома направлены хаотически и их среднее значение равно нулю. Таким образом, S-термы (l=0) всегда синглетны. Напротив, P (l=1), D (l=2), F (l=3) и т.д. термы всегда дублетны, т.к. спин электрона может принимать направления в среднем по или против орбитального магнитного поля, которое создается движением электрона по орбите. Эти же результаты можно получить, если во втором члене формулы (8) подставить значения j, соответствующие возможным значениям l при заданном n. В результате мы увидим, что, исключая K оболочку, L оболочка расщепится на три уровня LI, LII и LIII, для которых соответственно l=0 (s-термы синглетны, LI) и l =1 (p-термы дублетны, LII и LIII), M оболочка расщепится на пять уровней MI, MII, MIII, MIV и MV и т.д. Схема уровней представлена на рис.3. Энергия спин-орбитального взаимодействия в основном зависит от электронной плотности вблизи ядра, поэтому эффективный заряд ядра определяется внутренними по отношению к данной оболочке электронами. В результате постоянная экранирования a2 < a1 . Постоянная a2 называется постоянной внутреннего экранирования. Она не зависит от Z и растет с увеличением n и l, так для n=2 a2=3,5; для n=3 и l=1 a2=8,5; а для n=3 и l=2 a2=13. Согласно правилам отбора в дипольном приближении для одноэлектронных (здесь однодырочных) атомов переходы возможны при условиях Δl = ±1 Δj = 0, ±1 (9) На рис.3 представлена диаграмма переходов линий с принятыми в рентгеновской спектроскопии обозначениями. Следует иметь в виду, что эти правила нарушаются, и в спектре наблюдаются слабые линии, соответствующие электрическим квадрупольным переходам Δl= 0, ±2, Δj= 0, ±1, ±2, а также магнитным дипольным переходам. Расположение K, L, M…уровней, как и расстояния между подуровнями (LIII-LII, LII-LI, MII-MI, и т.д.), представленные на схеме, никак не отражает 8
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »