Физика фононов. Карпов С.В. - 106 стр.

UptoLike

Составители: 

высокочастотная диэлектрическая проницаемость, равная квадрату показателя
преломления n
2
. Для анизотропных кристаллов с симметрией выше орторомбической
диэлектрическая проницаемость представляется тензором с элементами
ε
xx
,
ε
yy
,
ε
zz
,
причем оси тензора совпадают с кристаллографическими направлениями в кристалле.
Тогда для каждого направления можно ввести LO и TO колебания, для которых
выполнено
)(
)(
1
1
2
)(
)(
xx
xx
o
s
j
TO
LO
j
j
=
=
ε
ε
ω
ω