Составители:
Рубрика:
Рис. 26а. Рассчитанные КР-спектры СР (AlN)n/(GaN)m, симметрии E(TO) (а) и A(LO) (б) при разных
значениях отношениях n/m, указанных на рисунках.
Рис. 26б. Рассчитанные КР-спектры СР (AlN)n/(GaN)m, симметрии E(LO) (а) и A(TO) (б) при разных
значениях отношения n/m, указанных на рисунках.
Рис. 26с. Амплитуды смещений атомов в модах A(LO) (а) и E(LO) (б) при различных соотношениях
толщины слоев m/n, указанных на рисунке. Значения рассчитанных частот указаны мелкими цифрами.
Фононы в нанокристаллах
_
(б)
A(TO)
2/18
4/16
+
Частота, см
-1
I, произв. ед.
18/2
6/14
8/12
A(TO)
10/10
12/8
14/6
16/4
450 550 650 750 850
Частота, см
-1
I, произв. ед.
18/2
I, произв. ед.
E(LO)
2/18
4/16
+
_
Частота, см
-1
18/2
6/14
8/12
E(LO)
10/10
12/8
14/6
16/4
550 650 750 850
(а)
Частота, см
-1
18/2
732 cm
-1
[GaN]
[AlN]
(а)
890 cm
-1
[AlN]
[GaN]
736 cm
-1
888 cm
-1
A(LO)-AlNA(LO)-GaN
[AlN]
[GaN]
741 cm
-1
18/2
10/10
2/18
m/n
887 cm
-1
E(LO)
E(LO)
(б)
[GaN]
[AlN]
775 cm
-1
[GaN]
[AlN]
[AlN]
[GaN]
[AlN]
844 cm
-1
[GaN]
[GaN]
[AlN]
_
+
585 cm
-1
632 cm
-1
[GaN]
[AlN]
895 cm
-1
10/10
18/2
2/18
m/n
557 cm
-1
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »