17
l
min
=
к
mE2
2h
.
Подставив числовые значения и произведя вычисления, получим
l
min
=
10
19
1061
31
10192
34
100512
⋅
−
⋅
−
⋅⋅
−
⋅⋅
,,
,
м = 1,16
.
10
-10
м = 116 пм.
Физика твердого тела
Удельная электропроводность полупроводника
γ
=
e(nb
n
+ pb
p
) , (1)
где е - заряд электрона, n и p - концентрация носителей заряда
(подвижных электронов и дырок), b
n
и b
p
- подвижности электронов и
дырок.
В случае проводимости одного типа одним из слагаемых в выражении
(1) можно пренебречь. Для собственного полупроводника следует
положить n = p.
Зависимость удельной электропроводности собственного
полупроводника от температуры
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
∆
−=
Тk
E
o
2
exp
γγ
, (2)
где
Е - ширина запрещенной зоны полупроводника; ∆
O
γ
- константа,
почти не зависящая от температуры; к - постоянная Больцмана.
При незначительном изменении удельного сопротивления вблизи
комнатной температуры
ρ = 1/γ = ρ
0
(1 + βt ) , (3)
где ρ
0
- удельное сопротивление при 0
0
С; β - температурный
коэффициент; t – температура в
0
С.
Холловская разность потенциалов равна
U
н
= R
н
a
B
I , (4)
где В - индукция магнитного поля, а - толщина образца; I - сила тока в
образце; R
H
- постоянная Холла. Для полупроводника с кристаллической
решеткой типа алмаза (Ge, Si) постоянная Холла равна
. (5)
2
)(
22
8
3
R
=
π
p
bp
n
bn
p
bp
n
bn
e
H
+
−
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- …
- следующая ›
- последняя »
