ВУЗ:
Составители:
I
к
=I
к1
I
к2
.
При воздействии магнитного поля с индукцией
В
носители заря-
да под действием силы Лоренца отклоняются от первоначального по-
ложения на угол Холла (рис. 22,а).
Это эквивалентно увеличению площади одного из коллекторов и
уменьшению площади другого. В результате происходит увеличение
тока одного коллектора и уменьшение тока другого коллектора. Рас-
стояние, на которое отклоняются носители заряда под действием ин-
дукции магнитного поля, определяется следующим выражением [16]:
Δx=W
k
⋅tg Θ=W
k
⋅μ
n
¿
⋅B
,
где
W
k
– толщина коллектора.
Таким образом, изменение токов первого и второго коллекторов
под действием внешнего магнитного поля описывается следующим
выражением [16]:
ΔI
к1 , к2
=±
Δx
L
э
=±2⋅
W
k
⋅μ
n
¿
⋅B
L
э
⋅I
к
.
Сенсоры магнитного поля, по сравнению с сенсорами механиче-
ских величин, имеют существенное преимущество при использовании
их в качестве элементной базы систем ориентации, навигации и управ-
ления. Это преимущество заключается в том, что сенсоры магнитного
поля могут определять положение объекта в пространстве, находяще-
гося в состоянии покоя. Тогда как сенсоры механических величин –
только в состоянии движения.
а б
Рис. 22. Двухколлекторный биполярный магнитотранзистор
39
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- …
- следующая ›
- последняя »
