Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

18
резисторах, защищенных диэлектриком); длина проволочных выводов
навесных компонентов должна находиться в пределах 0,5-5 мм,
компоненты и пленочные элементы, к точности которых предъявляя
жесткие требования, располагаются на расстоянии не менее 0,7 мм от края
подложки, остальные элементы – на расстоянии не менее 0,5 мм;
минимально допустимое расстояние между пленочными элементами, (в том
числе контактными площадками) – 0,2мм; минимальная ширина пленочных
проводников составляет 100 мкм при масочном и 50 мкм –
фотолитографическом методах; расстояние от границы диэлектрика до
контактной площадки – не менее 0,5 мм.
При проектировании толстопленочных ГИС учитывают следующие
ограничения: минимальное расстояние от края платы до пленочного
элемента – 0,1 мм, от края платы до отверстий под внешние выводы – 0,5
мм, между пленочными элементами – 0,2 мм; минимальная ширина
пленочных проводников – 0,2 мм при нанесении пасты на подложку и 0,3
мм при нанесении пасты на диэлектрический слой; минимальные размеры
контактных площадок – 0,3х0,4 мм; размеры контактных площадок для
монтажа конденсаторов с жесткими выводами должны на 0,2 мм
превышать размеры контактов конденсаторов; минимальное перекрытие
элементов в разных слоях – 0,1 мм; минимальный размер отверстия в
межслойной изоляции для соединения двух уровней металлизации – 0,6 мм;
остальные ограничения аналогичны тем, что приведены для
тонкопленочной технологии.
Выделенная на электрической схеме часть устройства реализуется в виде
бескорпусной ИПС (размер кристалла 1х1 мм), конструкция которой
аналогична констру кции полупроводниковых приборов и ИПС, описанных
в 3.1.6.
3.3.2. Разработка топологии выполняется в несколько этапов. На первом
этапе проводится преобразование электрической схемы, из которой
исключаются компоненты; выводы последних заменяются контактными
площадками. Схема перечерчивается таким образом, чтобы уменьшить
число пересечений проводников и сократить их длину. Переработанная
принципиальная схема носит название коммутационной схемы.
На втором этапе выбираются материалы, форма пленочных элементов и
рассчитываются их размеры по методикам 3.1.
На следующем этапе определяется ориентировочная площадь платы
∑∑∑∑
====
+++=
R
ck н
n
i
n
i
n
i
n
i
НiKiCiRiИПn
SSSSKS
1111
),(
где K
ип
= 2-3 - коэффициент использования площади платы;
S
Ri
, n
R
- площадь i-го резистора и количество резисторов;
S
Ci
, n
C
- площадь i-го конденсатора и количество конденсаторов;
S
Ki
, n
К
- площадь i-й контактной площадки и их количество;
S
Hi
, n
H
- установочная площадь i-го навесного компонента,
устанавливаемого на свободной от элементов поверхности платы, и их
количество.
Используя результат оценки необходимой площади платы, выбирают
размеры платы и корпус ГИС ( прил. VI ).
Следующим этапом разработки топологии является размещение
пленочных элементов на плате и прокладка соединительных проводников.

Страницы