Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

19
Следует проектировать элементы наиболее простой формы; придание
элементам форм, состоящих из отрезков прямых, не параллельных осям
координат (угол наклона должен быть кратным 15
0
), допустимо лишь в тех
случаях, когда это приводит к значительному упрощению топологии и
уменьшению размеров платы.
Вычерчивание эскиза платы рекомендуется проводить на миллиметровой
бумаге в масштабах увеличения, кратных.10 (10:1, 20:1 и т.д.).
3.3.3. На последнем этапе конструирования ГИС разрабатывается эскиз
конструкции микросхемы, отражающий расположение платы и навесных
компонентов в корпусе, а также проводится оценка паразитных связей [1,7]
тепловых режимов элементов и компонентов и расчет проектной
надежности [I].
3.4. Тепловой режим ГИС
3.4.1.
При разработке конструкции ГИС большое внимание уделяется
обеспечению нормального теплового режима элементов и компонентов, так
как от их температуры существенно зависит надежность микросхем. Для
уменьшения температуры элементов и компонентов рекомендуется:
выбирать невысокие значения (10-20 кВт/мм
2
) удельной рассеиваемой
мощности P
0
; применять подложки с высокой теплопроводностью;
осуществлять хороший тепловой контакт компонентов с подложкой
(уменьшение толщины слоя клея, припайка компонентов к
металлизированным участкам платы или к основанию корпуса);
равномерно распределять по подложке источники тепла; чувствительные к
температуре элементы и компоненты располагать за пределами зон
теплового влияния источников с повышенным тепловыделением.
3.4.2. Оценку теплового режима ГИС в металлостеклянном корпусе
можно осуществить, использу я методику [I].
Температура i-го элемента (компонента) определяется выражением
,
1
∑
=
++=
n
j
jikci
TT
θθ
(3.24)
где Т
с
- температура окружающей среды;
θ
к
- перегрев корпуса относительно Т
с
(зависит от способа монтажа
ГИС в аппаратуру и составляет обычно 5-10 К);
θ
ji
- составляющая перегрева i-го элемента (первый индекс - номер
источника тепла, второй - приемника тепла; перегрев θ
ii
, обусловленный
мощностью, рассеиваемой i-м элементом, называют собственным).
Для полупроводниковых приборов и ИПС определяется также
температура р-n- переходов
,
BHiiBHi
TT
θ
+
=
(3.25)
где
HiTiBHi
bRP=
θ
- внутренний перегрев i-го компонента, рассеивающего
мощность P
i
;
HiT
bR - внутреннее тепловое сопротивление компонента
(прил. V), учитывающее способ его закрепления (для кристалла
разрабатываемой бескорпусной ИПС R
TBH
= 1К/мВт, максимальная
температура р-п- переходов - 418К).
Собственный перегрев элемента (компонента) определяется выражением

Страницы